特許
J-GLOBAL ID：200903008383795474

半導体基板の検査方法及びその検査装置

発明者：
神山 栄治

神山 栄治 について


出願人/特許権者：
株式会社SUMCO

株式会社SUMCO について


代理人 (2件)： 吉岡 宏嗣 ,  鵜沼 辰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-299184
公開番号（公開出願番号）：特開2006-112871
出願日： 2004年10月13日
公開日（公表日）： 2006年04月27日
要約：
【課題】 表面に位置する層を薄膜化した複数の層を有する半導体基板の表面の異物を検出できる半導体基板の検査方法及び検査装置を提供する。【解決手段】 半導体基板の表面に向けてレーザ光を照射する照射部1から照射されるレーザ光Rによって生じる散乱光Sを受光部3で受光し、受光した散乱光に基づいて半導体基板5の表面の異物を検出するとき、照射部1は、P偏光板11を介して波長が290nm以上370nm以下のレーザ光Rを入射角θが50度以上で照射する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板の表面に向けてレーザ光を照射したときの散乱光を検出する半導体基板の検査方法であり、 前記レーザ光の波長が370nm以下であることを特徴とする半導体基板の検査方法。
IPC (2件)：
G01N 21/956 ,  H01L 21/66
FI (2件)：
G01N21/956 A ,  H01L21/66 J
Fターム (14件)：
2G051AA51 ,  2G051AB01 ,  2G051BA05 ,  2G051BA10 ,  2G051BA11 ,  2G051BB01 ,  2G051CA01 ,  2G051CA07 ,  2G051CB05 ,  4M106AA01 ,  4M106BA05 ,  4M106CA41 ,  4M106DB02 ,  4M106DB08
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (5件)
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