特許
J-GLOBAL ID：201003058316946962
光電変換素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
志賀 正武
, 高橋 詔男
, 渡邊 隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-174906
公開番号（公開出願番号）：特開2010-015830
出願日： 2008年07月03日
公開日（公表日）： 2010年01月21日
要約：
【課題】導電性基板を不要とし、低コスト化とともに、形状安定な大面積素子を構成することが可能で、かつ光電変換特性の向上が図れる光電変換素子を提供すること。【解決手段】本発明に係る光電変換素子は、導電性を有した第一基材2と、少なくとも一部に色素が担持された多孔質酸化物半導体層3とからなる積層体4を備えた作用極6、導電性を有した第二基材7からなる対極8、作用極6と対極8を挟むように配され少なくとも一方が透明性を有する一対の基板9,10、及び、一対の基板9,10間の少なくとも一部に配された電解質5、から少なくとも構成される光電変換素子であって、作用極6をなす第一基材2及び対極8をなす第二基材7の少なくとも一方は複数の開口部Hを二次元的に配置した構造をなすことを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
導電性を有した第一基材と、少なくとも一部に色素が担持された多孔質酸化物半導体層とからなる積層体を備えた作用極、
導電性を有した第二基材からなる対極、
前記作用極と前記対極とを挟むように配され、少なくとも一方が透明性を有する一対の基板、
及び、前記一対の基板間の少なくとも一部に配された電解質、から少なくとも構成される光電変換素子であって、
前記作用極をなす第一基材及び前記対極をなす第二基材の少なくとも一方は複数の開口部を二次元的に配置した構造をなすことを特徴とする光電変換素子。
IPC (4件)：
H01M 14/00
, H01M 4/66
, H01M 4/74
, H01L 31/04
H01M14/00 P
, H01M4/66 A
, H01M4/74 A
, H01L31/04 Z
5F051AA14
, 5F051BA12
, 5F051CB13
, 5F051FA06
, 5F051GA02
, 5H017AA07
, 5H017CC03
, 5H017CC05
, 5H017EE01
, 5H017EE04
, 5H032AA06
, 5H032AS16
, 5H032CC11
, 5H032CC13
, 5H032EE01
, 5H032EE02
, 5H032EE16
出願人引用 (1件)
審査官引用 (5件)
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