特許

J-GLOBAL ID：201003059187280525

水素ベースの化学反応による高用量注入後の剥離(HDIS)

発明者： ゴトー、ハルヒロ ハリー ,  チャン、デーヴィッド
出願人/特許権者： ノベルス・システムズ・インコーポレーテッド
代理人 (6件)： 龍華 明裕 ,  飯山 和俊 ,  明石 英也 ,  東山 忠義 ,  林 茂則 ,  高田 学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-018046
公開番号（公開出願番号）：特開2010-098279
出願日： 2009年01月29日
公開日（公表日）： 2010年04月30日
要約：

【課題】 HDIS用のフォトレジスト及びイオン注入関連残留物を剥離する改善された方法及び装置を提供する。【解決手段】 元素水素、弱酸化剤、及びフッ素含有ガスを用いてプラズマが生成される。プラズマ源の下流側及びガス混合物を反応チャンバ内へと導くシャワーヘッドの上流側において不活性ガスがプラズマに導入される。反応チャンバ内では、ガス混合物が高用量注入されたレジストと反応する。このプロセスは、高剥離レートでクラストとバルクレジスト層の両方を除去し、ワークピースの表面には実質的に残留物が残らず、また、シリコン損失も少ない。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

反応チャンバ内でワークピースの表面から材料を除去する方法であって、 元素水素、弱酸化剤、及びフッ素含有ガスを含むガスをプラズマ源内に導入する段階と、 前記プラズマ源内に導入された前記ガスからプラズマを生成する段階と、 前記プラズマ源の下流側及び前記ワークピースの上流側に不活性ガスを導入する段階と、 を含み、 元素水素、前記弱酸化剤、前記フッ素含有ガスを含む前記ガスは、前記不活性ガスとともに、前記ワークピースへと流れ前記ワークピースの前記材料と反応する、方法。

IPC (3件)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/304

FI (4件)：

H01L21/302 104H ,  H01L21/30 572A ,  H01L21/304 645A ,  H01L21/304 645C

Fターム (49件)：

5F004AA05 ,  5F004BA03 ,  5F004BC03 ,  5F004BD01 ,  5F004CA02 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA02 ,  5F004DA17 ,  5F004DA18 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DA25 ,  5F004DA28 ,  5F004DA30 ,  5F004DB26 ,  5F004EA28 ,  5F004FA02 ,  5F004FA07 ,  5F046MA12 ,  5F157AA03 ,  5F157AA63 ,  5F157AA64 ,  5F157AA92 ,  5F157AA93 ,  5F157AB02 ,  5F157AB13 ,  5F157AB33 ,  5F157AB42 ,  5F157AC01 ,  5F157AC13 ,  5F157BG13 ,  5F157BG14 ,  5F157BG15 ,  5F157BG35 ,  5F157BG39 ,  5F157BG72 ,  5F157BG73 ,  5F157BG77 ,  5F157CE07 ,  5F157CE08 ,  5F157CE10 ,  5F157CE59 ,  5F157CF16 ,  5F157CF34 ,  5F157CF90 ,  5F157DB02 ,  5F157DB47

引用特許：

審査官引用 (3件)

• エッチング後の処理システムのためのガス分配システム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-085108   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 電子デバイスの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-184884   出願人：富士通株式会社
• 有機物除去方法、半導体装置の製造方法及び有機物除去装置並びにシステム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-035569   出願人：キヤノン株式会社