特許

J-GLOBAL ID：201003059415397977

半導体ナノクリスタルを含む光起電力デバイス

発明者： アレクイ アランゴ ,  ブラドイミル ブロビク ,  バネッサ ウォオド ,  モウンギ ジー.バウエンドイ
出願人/特許権者： マサチューセッツ インスティテュート オブ テクノロジー
代理人 (1件)： 石川 徹
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-514708
公開番号（公開出願番号）：特表2010-531549
出願日： 2007年06月25日
公開日（公表日）： 2010年09月24日
要約：

光起電力デバイスは、半導体ナノクリスタル及び無機物質を含む電荷輸送層を含む。該電荷輸送層は、正孔輸送層又は電子輸送層であることができる。該無機物質は、無機半導体であることができる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

光起電力デバイスであって、 第一電荷輸送層に電荷を導入するように配置された第一電極と接触している、第一無機物質を含有した第一電荷輸送層、 第二電荷輸送層に電荷を導入するように配置された第二電極と接触している、第二電荷輸送層、 該第一電荷輸送層と該第二電荷輸送層との間に配置された複数の半導体ナノクリスタルを含む、前記光起電力デバイス。

IPC (1件)：

H01L 31/04

FI (1件)：

H01L31/04 E

Fターム (9件)：

5F151AA08 ,  5F151AA09 ,  5F151CB13 ,  5F151CB15 ,  5F151CB30 ,  5F151DA03 ,  5F151FA04 ,  5F151FA06 ,  5F151GA03

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 光電変換装置およびそれを用いた光発電装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-019702   出願人：京セラ株式会社
• 薄膜太陽電池
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-078196   出願人：京セラ株式会社