特許
J-GLOBAL ID：200903072870965300
薄膜太陽電池
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-078196
公開番号（公開出願番号）：特開2003-282902
出願日： 2002年03月20日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：
【要約】【課題】 半導体接合部の凹凸構造に起因して素子の電気特性が低下するという従来の問題を解消しつつ、高い光利用効率を実現できる光閉じ込め構造を有した薄膜太陽電池を提供する。【解決手段】 透光性基板11、第1の透明導電膜12、少なくともひとつの半導体接合を有する半導体多層膜13、第2の透明導電膜14、および金属膜15aが順次積層された薄膜太陽電池であって、上記第1の透明導電膜12と半導体多層膜13との界面の凹凸の最大高さRmaxが上記第2の透明導電膜14と金属膜15aとの界面の凹凸の最大高さRmaxよりも小さいことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
透光性基板、第1の透明導電膜、少なくともひとつの半導体接合を有する半導体多層膜、第2の透明導電膜、および金属膜が順次積層された薄膜太陽電池において、前記第1の透明導電膜と半導体多層膜との界面の凹凸の最大高さRmaxが、前記第2の透明導電膜と金属膜との界面の凹凸の最大高さRmaxよりも小さいことを特徴とする薄膜太陽電池。
FI (2件)：
H01L 31/04 M
, H01L 31/04 H
5F051AA04
, 5F051AA05
, 5F051AA09
, 5F051AA10
, 5F051CA02
, 5F051CA03
, 5F051CA04
, 5F051CA15
, 5F051CB12
, 5F051CB14
, 5F051CB15
, 5F051DA04
, 5F051DA15
, 5F051FA02
, 5F051FA03
, 5F051FA04
, 5F051FA18
, 5F051FA19
, 5F051GA14
