薄膜トランジスタおよびアクティブマトリクス基板

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-304729
公開番号（公開出願番号）：特開2010-129881
出願日： 2008年11月28日
公開日（公表日）： 2010年06月10日
要約：

【課題】オン電流を維持したままオフ電流を下げることができ、かつ、安価で優れた表示品位を得ることができるTFTを提供する。【解決手段】本発明のTFT11は、絶縁基板1上に、ゲート電極12、ゲート絶縁層13、半導体層14が、絶縁基板1側からこの順に積層されたボトムゲート型のTFTである。半導体層14は微結晶シリコンを含み、TFT11を絶縁基板1の法線方向から視たときに、ゲート電極12を挟んで対向するソース電極16およびドレイン電極17におけるゲート電極12側の各端面16a・17aとゲート電極12の端面12a・12bとがそれぞれ面一である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に、ゲート電極、ゲート絶縁層、半導体層が、上記絶縁基板側からこの順に積層されたボトムゲート型の薄膜トランジスタであって、上記半導体層は、微結晶シリコンを含み、当該薄膜トランジスタを上記絶縁基板の法線方向から視たときに、上記ゲート電極を挟んで対向するソース電極およびドレイン電極における上記ゲート電極側の各端面と、上記ゲート電極の端面とがそれぞれ面一であることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 21/336 , H01L 29/786 , G02F 1/136

FI (6件)：

H01L29/78 616N , H01L29/78 616T , H01L29/78 617K , H01L29/78 612Z , H01L29/78 618Z , G02F1/1368

Fターム (68件)：

2H092JA23 , 2H092JA25 , 2H092JA26 , 2H092JA34 , 2H092JA37 , 2H092JA41 , 2H092JB22 , 2H092JB31 , 2H092JB57 , 2H092MA08 , 2H092MA14 , 2H092MA17 , 2H092NA25 , 5F110AA06 , 5F110AA16 , 5F110BB02 , 5F110BB10 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE14 , 5F110EE24 , 5F110EE25 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF03 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG14 , 5F110GG16 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110HK07 , 5F110HK09 , 5F110HK15 , 5F110HK16 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HK25 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK35 , 5F110HL07 , 5F110HL23 , 5F110HM04 , 5F110HM05 , 5F110NN02 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN36 , 5F110QQ09 , 5F110QQ12 , 5F110QQ14

引用特許：

出願人引用 (5件)

薄膜トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-159696 出願人：シャープ株式会社
特開平3-293641号公報(公開日:1991年12月25日)
薄膜トランジスタおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-291896 出願人：シャープ株式会社

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