特許

J-GLOBAL ID：201003060399557185

ライフタイムの評価方法

発明者： 高見澤 彰一 ,  佐山 隆司 ,  名古屋 孝俊
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-015138
公開番号（公開出願番号）：特開2010-177241
出願日： 2009年01月27日
公開日（公表日）： 2010年08月12日
要約：

【課題】従来、無理と考えられてきたイオン注入層や拡散層が形成されたシリコン単結晶ウエーハのライフタイムを、精度よく且つ簡易に測定するための評価方法を提供する。【解決手段】片面にドーパント不純物が拡散されたシリコン単結晶ウエーハのライフタイムを評価する方法であって、前記ライフタイムを評価する際に、前記拡散シリコン単結晶ウエーハの全表面に対してパッシベーションを行い、その後、前記拡散面とは反対側の表面に対して励起光の照射と、高周波の入射及びその反射波の検出を行うことでライフタイムの評価をすることを特徴とするライフタイムの評価方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

片面にドーパント不純物が拡散されたシリコン単結晶ウエーハのライフタイムを評価する方法であって、 前記ライフタイムを評価する際に、前記拡散シリコン単結晶ウエーハの全表面に対してパッシベーションを行い、その後、前記拡散面とは反対側の表面に対して励起光の照射と、高周波の入射及びその反射波の検出を行うことでライフタイムの評価をすることを特徴とするライフタイムの評価方法。

IPC (1件)：

H01L 21/66

FI (1件)：

H01L21/66 M

Fターム (12件)：

4M106AA01 ,  4M106AA10 ,  4M106AA13 ,  4M106BA03 ,  4M106BA05 ,  4M106BA09 ,  4M106BA12 ,  4M106CB11 ,  4M106DH12 ,  4M106DH18 ,  4M106DH32 ,  4M106DH35

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体ウエハのキヤリアのライフタイム測定方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-326457   出願人：日本電気株式会社
• 半導体ウェーハ特性の評価装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-207454   出願人：荻田陽一郎, ヘンミ計算尺株式会社
• シリコンウェーハのライフタイム測定方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-231973   出願人：東芝セラミックス株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• イオン注入層を表面にもつSiウェーハの表面再結合状態の非接触評価