特許
J-GLOBAL ID：201003061379457318
イットリウム含有保護皮膜による半導体処理装置の被覆方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安齋 嘉章
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-519236
公開番号（公開出願番号）：特表2010-535288
出願日： 2008年07月30日
公開日（公表日）： 2010年11月18日
要約：
半導体処理装置に特殊セラミック材料を適用する方法であり、この特殊セラミック材料はハロゲン含有プラズマに耐性である。特殊セラミック材料は、少なくとも1種の酸化イットリウム含有固溶体を含有する。特殊セラミック材料の一部の実施形態は、半導体処理チャンバ内でのアーク放電の可能性を低下させる抵抗率を付与するように改質されている。
請求項（抜粋）：
物品の表面を溶射被覆してハロゲン含有プラズマへのエロージョン耐性を付与する方法であって、皮膜が火炎溶射、熱溶射及びプラズマ溶射から成る群から選択された技法を使用して溶射され、皮膜が、少なくとも1種のイットリウム含有固溶体を含む方法。
IPC (3件)：
C23C 4/10
, C23C 14/08
, C04B 35/50
C23C4/10
, C23C14/08 K
, C04B35/50
4K029BA50
, 4K029CA05
, 4K029DC05
, 4K029DC07
, 4K031AA06
, 4K031BA01
, 4K031CB09
, 4K031CB14
, 4K031CB15
, 4K031CB42
, 4K031CB49
, 4K031DA03
, 4K031DA04
, 4K031FA01
, 4K031FA05
, 4K031FA13
, 5F045AA08
, 5F045BB08
, 5F045EC05
