特許
J-GLOBAL ID：201003061773287223

画素回路、発光表示装置及びそれらの駆動方法

発明者：
安部 勝美

安部 勝美 について

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▲高▼橋 健治

▲高▼橋 健治 について

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林 享

林 享 について

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雲見 日出也

雲見 日出也 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (2件)： 西山 恵三 ,  内尾 裕一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-226061
公開番号（公開出願番号）：特開2010-060816
出願日： 2008年09月03日
公開日（公表日）： 2010年03月18日
要約：
【課題】しきい値、移動度を補正した高画質表示を可能とした発光表示装置を得る。 【解決手段】発光素子OLEDと、発光素子の発光輝度-電流特性に従い階調を制御する第1の電流を発光素子へ供給する薄膜トランジスタTFT1と、を少なくとも備えた画素回路において、薄膜トランジスタはバックゲート電極を有し、薄膜トランジスタが発光素子へ、第1の電流を供給する駆動期間と、駆動期間に薄膜トランジスタ第1の電流を流すために、駆動期間前に薄膜トランジスタに第2の電流を書き込む書き込み期間と、を少なくとも有し、駆動期間と書き込み期間において、バックゲート電極に印加する電圧を変えることで、薄膜トランジスタのゲート電圧に対する電流能力が異なるようにした。 【選択図】図1
請求項（抜粋）：
発光素子と、前記発光素子の発光輝度-電流特性に従い階調を制御する第1の電流を前記発光素子へ供給する薄膜トランジスタと、を少なくとも備えた画素回路において、 前記薄膜トランジスタはバックゲート電極を有し、 前記薄膜トランジスタが前記発光素子へ前記第1の電流を供給する駆動期間と、前記駆動期間に前記薄膜トランジスタに前記第1の電流を流すために、前記駆動期間前に前記薄膜トランジスタに第2の電流を書き込む書き込み期間と、を少なくとも有し、 前記駆動期間と前記書き込み期間とで、前記バックゲート電極に印加する電圧を変えることで、前記薄膜トランジスタのゲート電圧に対する電流能力が異なるようにしたことを特徴とする画素回路。
IPC (5件)：
G09G 3/30 ,  G09F 9/30 ,  H01L 27/32 ,  G09G 3/20 ,  H01L 51/50
FI (10件)：
G09G3/30 K ,  G09F9/30 365Z ,  G09F9/30 338 ,  G09G3/20 624B ,  G09G3/20 623D ,  G09G3/20 680G ,  G09G3/20 641P ,  G09G3/20 611H ,  G09G3/20 670J ,  H05B33/14 A
Fターム (31件)：
3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC31 ,  3K107CC33 ,  3K107EE03 ,  3K107HH04 ,  3K107HH05 ,  5C080AA06 ,  5C080BB05 ,  5C080DD01 ,  5C080DD03 ,  5C080EE28 ,  5C080EE29 ,  5C080FF07 ,  5C080FF11 ,  5C080HH09 ,  5C080JJ02 ,  5C080JJ03 ,  5C080JJ04 ,  5C080JJ05 ,  5C080JJ06 ,  5C080KK43 ,  5C094AA03 ,  5C094AA13 ,  5C094AA14 ,  5C094AA21 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094CA19 ,  5C094DB04 ,  5C094FB14
引用特許：
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (11件)
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