特許

J-GLOBAL ID：201003062687105879

Al(x)Ga(1-x)Nクラッディングフリー非極性III族窒化物ベースのレーザダイオードおよび発光ダイオード

発明者： フィーゼル, ダニエル エフ. ,  シュミット, マシュー シー. ,  キム, クワン-チュン ,  ファレル, ロバート エム. ,  コーエン, ダニエル エー. ,  スペック, ジェームス エス. ,  デンバース、 スティーブン ピー. ,  ナカムラ, シュウジ
出願人/特許権者： ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア
代理人 (3件)： 山本 秀策 ,  安村 高明 ,  森下 夏樹
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-549141
公開番号（公開出願番号）：特表2010-518624
出願日： 2008年02月12日
公開日（公表日）： 2010年05月27日
要約：

AlxGa1-xNのクラッディングフリー非極性III族窒化物ベースのレーザダイオードまたは発光ダイオードを製作するための方法が提供される。非極性の結晶面内に分極電場が存在しないことに起因して、これらの非極性のデバイスは、厚い量子井戸を有する。この量子井戸が光導波路として機能することにより、光学モードを活性領域に効果的に閉じ込め、そしてAl含有導波路クラッド層の必要性を無くす。一実施形態において、光電子デバイスは、少なくとも4ナノメートルの厚さを有する少なくとも1つの非極性III族窒化物の量子井戸を有する非極性III族窒化物半導体の光放射デバイスを備える。

請求項（抜粋）：

光電子デバイスであって、 少なくとも4ナノメートルの厚さを有する少なくとも1つの非極性III族窒化物の量子井戸を有する非極性III族窒化物半導体の光放射デバイス を備えている、デバイス。

IPC (2件)：

H01S 5/343 ,  H01L 33/32

FI (2件)：

H01S5/343 610 ,  H01L33/00 186

Fターム (5件)：

5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F173AB13 ,  5F173AF03 ,  5F173AH22

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 4H型ポリタイプ基板上に形成された4H型ポリタイプ窒化ガリウム系半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-095658   出願人：松下電器産業株式会社, 小野島紀夫, 須田淳, 木本恒暢, 松波弘之
• 非極性(Al,B,In,Ga)N量子井戸、ならびにヘテロ構造材料およびデバイス
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2003-586401   出願人：ザリージェントオブザユニバーシティオブカリフォルニア

審査官引用 (2件)

• 4H型ポリタイプ基板上に形成された4H型ポリタイプ窒化ガリウム系半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-095658   出願人：松下電器産業株式会社, 小野島紀夫, 須田淳, 木本恒暢, 松波弘之
• 非極性(Al,B,In,Ga)N量子井戸、ならびにヘテロ構造材料およびデバイス
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2003-586401   出願人：ザリージェントオブザユニバーシティオブカリフォルニア