4H型ポリタイプ基板上に形成された4H型ポリタイプ窒化ガリウム系半導体素子

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： , , , ,
代理人 (1件)：特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-095658
公開番号（公開出願番号）：特開2005-286338
出願日： 2005年03月29日
公開日（公表日）： 2005年10月13日
要約：

【課題】SiC基板および過成長III-V族窒化物の双方に最適な組み合わせのポリタイプを提供する。【解決手段】無極性面上の4H-InGaAlN合金系発光素子および電子素子を、(11-20)a面4H-SiC基板上の4H-AlNまたは4H-AlGaN上に形成する。一般に、無極性4H-AlNは分子線エピタキシー(MBE)により4H-SiC(11-20)上に成長させる。引き続き、有機金属気相成長法(MOCVD)により、III-V族窒化物素子層を成長させ、全ての層が4H型ポリタイプとなる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

4H型構造の基板上に形成された4H型ポリタイプ構造のB1-x-y-zInxAlyGazN(0≦x≦1、0≦y<1、0≦z≦1)合金エピタキシャル膜を備えた半導体素子。

IPC (7件)：

H01L29/26 , H01L21/20 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L33/00 , H01S5/323

FI (5件)：

H01L29/26 , H01L21/20 , H01L33/00 C , H01S5/323 610 , H01L29/80 H

Fターム (40件)：

5F041CA05 , 5F041CA13 , 5F041CA23 , 5F041CA33 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA66 , 5F041CA85 , 5F041CA88 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ02 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GM07 , 5F102GR01 , 5F102GT05 , 5F102HC01 , 5F152LL05 , 5F152LL09 , 5F152LN03 , 5F152LN16 , 5F152LN18 , 5F152LN29 , 5F152MM09 , 5F152NN05 , 5F152NP09 , 5F152NQ09 , 5F173AA08 , 5F173AG12 , 5F173AH22 , 5F173AH49 , 5F173AP06 , 5F173AP10 , 5F173AP19 , 5F173AP23 , 5F173AP33 , 5F173AR82

引用特許：

出願人引用 (2件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-253784 出願人：三洋電機株式会社
米国特許第5,432,808号

審査官引用 (5件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-253784 出願人：三洋電機株式会社
半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-260740 出願人：富士通株式会社
半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-241889 出願人：三洋電機株式会社, 鳥取三洋電機株式会社

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