特許
J-GLOBAL ID：201003062905190239

半導体トランジスタ素子の製造方法、及び半導体トランジスタ素子

発明者：
西原 義雄

西原 義雄 について


出願人/特許権者：
富士ゼロックス株式会社

富士ゼロックス株式会社 について


代理人 (4件)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  西元 勝一 ,  福田 浩志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-227557
公開番号（公開出願番号）：特開2010-062391
出願日： 2008年09月04日
公開日（公表日）： 2010年03月18日
要約：
【課題】集積密度の向上が容易に図れる半導体トランジスタ素子の製造方法及び半導体トランジスタ素子を提供する。【解決手段】半導体トランジスタ素子10においては、製造時において、ソース電極18及びドレイン電極20を、半導体インク滴を保持しうる凹部Pを有する構成とし、この凹部Pを有するソース電極18及びドレイン電極20の間に、半導体インク滴22Aを滴下することで半導体層22を形成する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基板上にゲート電極を形成する第1の工程と、 前記基板上に前記ゲート電極を覆うように絶縁層を形成する第2の工程と、 前記絶縁層上に、ソース電極とドレイン電極とを間隔を隔てて形成する第3の工程と、 前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に半導体材料を含有する第1の溶液の液滴を滴下することによって、該ソース電極と該ドレイン電極とを導通する半導体層を形成する第4の工程と、 を備え、 前記第3の工程において形成された前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、前記絶縁層の設けられた側とは反対側に、前記絶縁層側へ凹んだ前記第1の溶液を保持しうる凹部を有することを特徴とする半導体トランジスタ素子の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/417 ,  H01L 29/41 ,  H01L 21/288
FI (6件)：
H01L29/78 616T ,  H01L29/78 616K ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/50 M ,  H01L29/44 S ,  H01L21/288 Z
Fターム (61件)：
4M104AA01 ,  4M104AA02 ,  4M104AA03 ,  4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB06 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD51 ,  4M104DD68 ,  4M104FF06 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F110AA04 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD06 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110GG01 ,  5F110GG04 ,  5F110GG05 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK17 ,  5F110HK32 ,  5F110HM02 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ14
引用特許：
出願人引用 (3件)

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