特許
J-GLOBAL ID:201003063022874762
ポリオレフィンコポリマーを含む電子装置モジュール
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (4件):
小林 浩
, 片山 英二
, 大森 規雄
, 鈴木 康仁
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-529355
公開番号(公開出願番号):特表2010-504647
出願日: 2007年09月19日
公開日(公表日): 2010年02月12日
要約:
A.少なくとも1つの電子装置、例えば、ソーラーセル、および、B.電子装置の少なくとも1つの面に密接に接触しているポリマー材料を含み、前記ポリマー材料が(1)(a)約0.90g/cc未満の密度、(b)ASTM D-882-02により測定して約150メガパスカル(mPa)未満の2%割線係数、(c)約95°C未満の融点、(d)ポリマーの重量に基づいて少なくとも約15および約50重量%未満のα-オレフィン含量、(e)約-35°C未満のTg、ならびに(f)少なくとも約50のSCBDI、のうちの少なくとも1つを有するポリオレフィンコポリマー、(2)所望により、フリーラジカル開始剤、例えば、過酸化物もしくはアゾ化合物、または光開始剤、例えばベンゾフェノン、および(3)所望により、助剤を含む、電子装置モジュール。典型的に、ポリオレフィンコポリマーは、エチレン/α-オレフィンコポリマーである。所望により、ポリマー材料は、ビニルシランおよび/またはスコーチ防止剤をさらに含んでよく、コポリマーは架橋されないままであっても架橋されてもよい。
請求項(抜粋):
A.少なくとも1つの電子装置、および
B.電子装置の少なくとも1つの面に密接に接触しているポリマー材料を含む電子装置モジュールであって、前記ポリマー材料が、(1)(a)約0.90g/cc未満の密度、(b)ASTM D-882-02により測定して約150メガパスカル(mPa)未満の2%割線係数、(c)約95°C未満の融点、(d)ポリマーの重量に基づいて少なくとも約15および約50重量%未満のα-オレフィン含量、(e)約-35°C未満のTg、ならびに(f)少なくとも約50%のSCBDIのうちの少なくとも1つの特性をもつポリオレフィンコポリマー、(2)所望により、コポリマーの重量に基づいて少なくとも約0.05重量%の量のフリーラジカル開始剤または光開始剤、および(3)所望により、コポリマーの重量に基づいて少なくとも約0.05重量%の量の助剤(co-agent)を含む、電子装置モジュール。
IPC (5件):
H01L 31/042
, C08L 23/02
, C08L 51/06
, C08K 5/14
, C08K 5/542
FI (5件):
H01L31/04 R
, C08L23/02
, C08L51/06
, C08K5/14
, C08K5/5425
Fターム (28件):
4J002BB021
, 4J002BB111
, 4J002BB161
, 4J002BN032
, 4J002EE036
, 4J002EH088
, 4J002EK006
, 4J002EK036
, 4J002EK066
, 4J002EU079
, 4J002EU198
, 4J002EV048
, 4J002EV148
, 4J002EV328
, 4J002EX017
, 4J002FD039
, 4J002FD147
, 4J002FD158
, 4J002GQ00
, 4J002GT00
, 5F051JA04
, 5F051JA05
, 5H032AA06
, 5H032AS16
, 5H032CC01
, 5H032EE01
, 5H032EE04
, 5H032HH01
引用特許:
引用文献:
審査官引用 (4件)
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Engage
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PVMaT Improvements in the BP Solar Photovoltaic Module Manufacturing Technology
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