特許

J-GLOBAL ID：201003063598039605

電子回路

発明者： 菅原 聡 ,  山本 修一郎 ,  周藤 悠介
出願人/特許権者： 国立大学法人東京工業大学
代理人 (2件)： 片山 修平 ,  横山 照夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-078082
公開番号（公開出願番号）：特開2010-232959
出願日： 2009年03月27日
公開日（公表日）： 2010年10月14日
要約：

【課題】電界効果トランジスタの電流駆動能力を不揮発的に設定すること。【解決手段】本発明は、電界効果トランジスタ40と、一端が前記電界効果トランジスタ40のソースSに接続され、抵抗値を不揮発的に設定可能な抵抗変化素子Reと、を具備する電子回路である。本発明によれば、例えば抵抗変化素子Reが、抵抗値に応じ双安定回路に記憶されたデータを不揮発的にストアし、ストアされたデータを双安定回路にリストアする電子回路において、双安定回路と抵抗変化素子とが互いに影響することを抑制することができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

電界効果トランジスタと、 一端が前記電界効果トランジスタのソースに接続され、抵抗値を不揮発的に設定可能な抵抗変化素子と、 を具備することを特徴とする電子回路。

IPC (2件)：

H03K 19/094 ,  G11C 11/412

FI (2件)：

H03K19/094 A ,  G11C11/40 301

Fターム (11件)：

5B015HH04 ,  5B015JJ03 ,  5B015JJ21 ,  5B015KA10 ,  5B015QQ16 ,  5J056AA03 ,  5J056BB12 ,  5J056DD13 ,  5J056DD59 ,  5J056FF08 ,  5J056GG10

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 電子回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-225698   出願人：国立大学法人東京工業大学
• 半導体メモリ集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-289888   出願人：株式会社東芝

審査官引用 (2件)

• 電子回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-225698   出願人：国立大学法人東京工業大学
• 半導体メモリ集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-289888   出願人：株式会社東芝