特許
J-GLOBAL ID：201003064226637405

コバルトカルボニル錯体組成物及びコバルト膜の形成方法

発明者：
西村 秀樹

西村 秀樹 について

, 
松木 安生

松木 安生 について


出願人/特許権者：
JSR株式会社

JSR株式会社 について


代理人 (3件)： 大島 正孝 ,  勝又 秀夫 ,  白石 泰三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-267296
公開番号（公開出願番号）：特開2010-150656
出願日： 2009年11月25日
公開日（公表日）： 2010年07月08日
要約：
【課題】コバルト前駆体の保存安定性に優れ、長期保存後に化学気相成長法に供した場合であっても昇華残存物の少ないコバルト前駆体組成物及びコバルト前駆体の使用効率の高い、化学気相成長法によるコバルト膜の形成方法を提供すること。【解決手段】上記組成物は、コバルトカルボニル錯体及び溶媒を含有する組成物であって、前記溶媒に溶存する一酸化炭素の濃度が0.001〜1重量%であることを特徴とする。上記方法は、上記のコバルトカルボニル錯体組成物に由来するコバルトカルボニル錯体を昇華して基体上に供給し、該基体上で該コバルトカルボニル錯体をコバルトに変換することを特徴とする。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
コバルトカルボニル錯体及び溶媒を含有する組成物であって、 前記溶媒に溶存する一酸化炭素の濃度が0.001〜1重量%であることを特徴とする、コバルトカルボニル錯体組成物。
IPC (6件)：
C23C 16/18 ,  C01G 51/02 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/320 ,  H01L 23/52
FI (5件)：
C23C16/18 ,  C01G51/02 ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/285 Z ,  H01L21/88 M
Fターム (33件)：
4G048AA08 ,  4G048AB02 ,  4G048AB03 ,  4G048AE08 ,  4K030AA12 ,  4K030BA05 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030JA01 ,  4K030LA15 ,  4M104AA01 ,  4M104BB04 ,  4M104BB32 ,  4M104DD45 ,  4M104DD79 ,  5F033GG03 ,  5F033GG04 ,  5F033HH15 ,  5F033HH32 ,  5F033PP06 ,  5F033QQ72 ,  5F033RR03 ,  5F033RR04 ,  5F033RR09 ,  5F033RR11 ,  5F033RR15 ,  5F033SS04 ,  5F033SS11 ,  5F033SS12 ,  5F033SS13 ,  5F033SS15 ,  5F033SS22 ,  5F033WW02
引用特許：
出願人引用 (3件)

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