特許
J-GLOBAL ID：200903006992333247

金属膜の形成方法

発明者：
酒井 達也

酒井 達也 について

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松木 安生

松木 安生 について

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河口 和雄

河口 和雄 について


出願人/特許権者：
JSR株式会社

JSR株式会社 について


代理人 (1件)： 大島 正孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-031334
公開番号（公開出願番号）：特開2006-328526
出願日： 2006年02月08日
公開日（公表日）： 2006年12月07日
要約：
【課題】絶縁体である基板が有するトレンチ内にメッキ法により金属、特に銅を埋め込む際のシード層になるとともに、金属原子の絶縁膜へのマイグレーションを防止するバリア層の役割をも果たし、かつ、絶縁体との密着性に優れた金属膜を簡易に形成する方法を提供する。【解決手段】コバルト化合物、ルテニウム化合物及びタングステン化合物よりなる群から選ばれる少なくとも一つの金属化合物の膜が形成された基体上の金属化合物を昇華させ、当該昇華気体を金属膜を形成するための基体に供給して分解し、それにより基体の表面に金属膜を形成する方法。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
コバルト、ルテニウム及びタングステンよりなる群から選ばれる少なくとも一つの金属の膜を形成するための第一の基体上に、コバルト化合物、ルテニウム化合物及びタングステン化合物よりなる群から選ばれる少なくとも一つの金属化合物を乗せた第二の基体から該金属化合物を昇華させ、そして当該昇華気体を該第一の基体に供給して分解し、それにより第一の基体の表面に該金属膜を形成すること特徴とする金属膜の形成方法。
IPC (2件)：
C23C 16/18 ,  H01L 21/285
FI (2件)：
C23C16/18 ,  H01L21/285 C
Fターム (16件)：
4K030AA11 ,  4K030BA01 ,  4K030BA05 ,  4K030BA20 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA01 ,  4K030FA10 ,  4K030GA01 ,  4K030JA01 ,  4K030LA15 ,  4M104BB04 ,  4M104BB18 ,  4M104DD43 ,  4M104DD45 ,  4M104FF16
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (4件)
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