特許
J-GLOBAL ID:201003065229734173

高光触媒活性を有する酸化チタン層の製造方法およびこの方法により製造された酸化チタン層

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 西脇 民雄
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-509747
公開番号(公開出願番号):特表2010-529290
出願日: 2008年05月30日
公開日(公表日): 2010年08月26日
要約:
本発明は、気相からの酸化チタン層の基板への真空に基づく堆積方法であって、含酸化チタン源から含酸素雰囲気下において500°Cより低い基板温度で、25nm/秒より低い堆積速度で堆積が行われ、該堆積後に、少なくとも30分の間、含酸素雰囲気下で200°Cから1000°Cの間で、コーティングされた基板が熱処理されることを特徴とする方法に関する。【選択図】図3
請求項(抜粋):
気相からの酸化チタン層の基板への真空に基づく堆積方法であって、 含酸化チタン源から含酸素雰囲気下において500°Cより低い基板温度で、10nm/秒の堆積速度で堆積が行われ、 該堆積後に、少なくとも30分の間、含酸素雰囲気下で200°Cから1000°Cの間で、コーティングされた基板が熱処理されることを特徴とする方法。
IPC (7件):
C23C 14/58 ,  B01J 37/02 ,  B01J 37/08 ,  B01J 35/02 ,  C03C 17/245 ,  C04B 41/87 ,  G02B 1/10
FI (8件):
C23C14/58 A ,  B01J37/02 301P ,  B01J37/08 ,  B01J35/02 J ,  C03C17/245 A ,  C04B41/87 G ,  C04B41/87 F ,  G02B1/10 Z
Fターム (72件):
2K009BB01 ,  2K009BB02 ,  2K009BB06 ,  2K009CC03 ,  2K009DD03 ,  2K009DD06 ,  4G059AA01 ,  4G059AA07 ,  4G059AA11 ,  4G059AB09 ,  4G059AC21 ,  4G059AC30 ,  4G059EA04 ,  4G059EB03 ,  4G169AA08 ,  4G169AA09 ,  4G169BA02A ,  4G169BA04A ,  4G169BA13A ,  4G169BA14A ,  4G169BA17 ,  4G169BA48A ,  4G169BB04C ,  4G169BC25A ,  4G169BC50C ,  4G169BC54A ,  4G169BC55A ,  4G169BC60A ,  4G169BC62A ,  4G169BC67A ,  4G169CA02 ,  4G169CA03 ,  4G169CA05 ,  4G169CC33 ,  4G169DA06 ,  4G169EA08 ,  4G169EB15X ,  4G169EC28 ,  4G169EE06 ,  4G169EE09 ,  4G169FA03 ,  4G169FB02 ,  4G169FB03 ,  4G169FB29 ,  4G169FB37 ,  4G169FC02 ,  4G169FC06 ,  4G169FC07 ,  4G169HA01 ,  4G169HA03 ,  4G169HB01 ,  4G169HC29 ,  4G169HD13 ,  4G169HE01 ,  4G169HE05 ,  4G169HE07 ,  4G169HE08 ,  4G169HE09 ,  4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA48 ,  4K029BA64 ,  4K029BB02 ,  4K029BC00 ,  4K029BC07 ,  4K029CA01 ,  4K029DB14 ,  4K029DB21 ,  4K029EA01 ,  4K029EA03 ,  4K029EA08 ,  4K029GA01
引用特許:
審査官引用 (4件)
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