半導体装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：吉竹英俊 , 有田貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-195323
公開番号（公開出願番号）：特開2010-087483
出願日： 2009年08月26日
公開日（公表日）： 2010年04月15日
要約：

【課題】広い電流密度範囲で、動作電圧の小さい半導体装置を得ることを目的とする。【解決手段】本発明における半導体装置10は、第1導電型の半導体基板1と、半導体基板1上に半導体基板1より低ドーピング濃度で形成された第1導電型の半導体層2と、半導体層2の表層に所定間隔を有して並置された第2導電型の第1の半導体領域3と、半導体層2および第1の半導体領域3上に形成され、半導体層2とはショットキ接触、第1の半導体領域3とはオーミック接触する第1の電極5と、半導体基板1の裏面に形成された第2の電極6と、を備え、第1の半導体領域3の幅Wp(μm)と半導体層2のドーピング濃度N(cm-3)とが、Wp>-72×ln(N)+2685の関係を有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板と、前記半導体基板上に前記半導体基板より低ドーピング濃度で形成された第1導電型の半導体層と、前記半導体層の表層に所定間隔を有して並置された第2導電型の第1の半導体領域と、前記半導体層および前記第1の半導体領域上に形成され、前記半導体層とはショットキ接触、前記第1の半導体領域とはオーミック接触する第1の電極と、前記半導体基板の裏面に形成された第2の電極と、を備え、前記第1の半導体領域の幅Wp(μm)と前記半導体層のドーピング濃度N(cm-3)とが、 Wp>-72×ln(N)+2685 の関係を有する、半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/47 , H01L 29/872 , H01L 29/861

FI (3件)：

H01L29/48 F , H01L29/91 F , H01L29/91 D

Fターム (4件)：

4M104AA03 , 4M104FF32 , 4M104FF35 , 4M104GG03

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体整流素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-150266 出願人：株式会社東芝
特開昭59-115566
ショットキバリアを有する半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-163852 出願人：サンケン電気株式会社

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引用文献：

審査官引用 (3件)

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