特許

J-GLOBAL ID：201003066080688633

高密度プラズマ源及び高密度プラズマ生成方法

発明者： 藤山 寛 ,  後藤 直樹 ,  辰石 健二 ,  徳永 行伸 ,  岩本 直久 ,  西山 新一郎
出願人/特許権者： 国立大学法人 長崎大学 ,  ジャパンファインスチール株式会社
代理人 (2件)： 角田 芳末 ,  伊藤 仁恭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-020752
公開番号（公開出願番号）：特開2010-177137
出願日： 2009年01月30日
公開日（公表日）： 2010年08月12日
要約：

【課題】低気圧から高気圧まで広い動作気圧に対応できる高密度プラズマ源、及び高密度プラズマ生成方法を提供する。【解決手段】チャンバ2と、チャンバ2内に配置された第1の導電体3と、チャンバ2内に在って第1の導電体3に対向して配置された、複数の誘電体5で被覆された第2の導電体4[4A,4B,4C]と、複数の第2の導電体4にそれぞれ同電位の高電圧低周波電圧あるいは高電圧三相交流電圧を印加する交流電源7と、第1の導電体3に負の直流バイアス電圧を印加する直流バイアス電源6とを有し、チャンバ2と第1の導電体3との間の直流放電と、第1導電体3と複数の第2の導電体4との間の誘電体バリア放電とからなる複合プラズマが発生する構成。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

チャンバと、 前記チャンバ内に配置された第1の導電体と、 前記チャンバ内に在って前記第1の導電体に対向して配置された、複数の誘電体で被覆された第2の導電体と、 前記複数の第2の導電体のそれぞれに同電位の高電圧低周波電圧あるいは高電圧三相交流電圧を印加する交流電源と、 前記第1の導電体に負の直流バイアス電圧を印加する直流バイアス電源とを有し、 前記チャンバと前記第1の導電体との間の直流放電と、前記第1導電体と前記複数の第2の導電体との間の誘電体バリア放電とからなる複合プラズマが発生する ことを特徴とする高密度プラズマ源。

IPC (2件)：

H05H 1/24 ,  C23C 26/00

FI (2件)：

H05H1/24 ,  C23C26/00 E

Fターム (5件)：

4K044AA01 ,  4K044BC01 ,  4K044BC02 ,  4K044CA41 ,  4K044CA44