特許

J-GLOBAL ID：201003066832826429

Mg金属間化合物及びそれを応用したデバイス

発明者： 加藤 彰彦 ,  八木 毅
出願人/特許権者： FDK株式会社
代理人 (1件)： 松井 伸一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-211420
公開番号（公開出願番号）：特開2010-050185
出願日： 2008年08月20日
公開日（公表日）： 2010年03月04日
要約：

【課題】 電気伝導性に優れたp型のMg金属化合物(Mg2X)を提供すること【解決手段】 逆ホタル石構造を有する一般式:Mg2X(Xは4族元素Si及びGe及びSnから選択される一種または複数の元素)であって、アクセプタードーパントとして、Liを含むようにした。Liは、Mg2Xに対して高い固溶限界を有し、高い電気伝導度を有するMg2Xとなる。また、Liは毒性が低いので、環境にも優しいMg2Xとなる。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

逆ホタル石構造を有する一般式:Mg2X(Xは4族元素Si及びGe及びSnから選択される一種または複数の元素)であって、 アクセプタードーパントとして、Liを含むように構成されたことを特徴とするMg金属間化合物。

IPC (3件)：

H01L 35/20 ,  C22C 23/00 ,  F25B 21/02

FI (3件)：

H01L35/20 ,  C22C23/00 ,  F25B21/02 Z

引用特許：

出願人引用 (2件)

• Mg-Si系熱電材料及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-091091   出願人：大同特殊鋼株式会社
• Mg金属間化合物及びそれを応用したデバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-297657   出願人：FDK株式会社