特許
J-GLOBAL ID：201003066909985100
GaN基板およびその製造方法、GaN層接合基板の製造方法、ならびに半導体デバイスの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
, 荒川 伸夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-023775
公開番号（公開出願番号）：特開2010-180081
出願日： 2009年02月04日
公開日（公表日）： 2010年08月19日
要約：
【課題】加工しろが小さく一様な加工が容易なGaN基板およびその製造方法、かかるGaN基板を用いたGaN層接合基板および半導体デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】GaN基板20は、第1領域20jと、第1領域20jに比べてGa/N組成比が高い第2領域20iとを含み、第2領域20iは、一方の主面20mから所定の深さDを中心に深さD-ΔDから深さD+ΔDまで広がり、深さDにおけるGa/N組成比と第1領域20jの深さD+4ΔD以上の深さにおけるGa/N組成比との差が、深さD+ΔDにおけるGa/N組成比と第1領域20jの深さD+4ΔD以上の深さにおけるGa/N組成比との差の3倍であり、第2領域20iのGa/N組成比が、第1領域20jの深さD+4ΔD以上の深さにおけるGa/N組成比に対して1.05以上であるので、外部から加えられるエネルギーにより、第2領域20iで容易に分離される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1領域と、前記第1領域に比べてGa/N組成比が高い第2領域とを含み、
前記第2領域は、一方の主面から所定の深さDを中心に深さD-ΔDから深さD+ΔDまで広がり、前記深さDにおけるGa/N組成比と前記第1領域の深さD+4ΔD以上の深さにおけるGa/N組成比との差が、前記深さD+ΔDにおけるGa/N組成比と前記第1領域の深さD+4ΔD以上の深さにおけるGa/N組成比との差の3倍であり、
前記第2領域のGa/N組成比が、前記第1領域の深さD+4ΔD以上の深さにおけるGa/N組成比に対して1.05以上であるGaN基板。
IPC (4件)：
C30B 29/38
, C30B 31/20
, H01L 21/205
, H01L 33/32
C30B29/38 D
, C30B31/20
, H01L21/205
, H01L33/00 186
4G077AA02
, 4G077BE15
, 4G077FD04
, 4G077FH05
, 4G077FH08
, 4G077FJ06
, 5F041AA31
, 5F041AA40
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA23
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F045AA04
, 5F045AB14
, 5F045AB17
, 5F045AF04
, 5F045AF11
, 5F045BB08
, 5F045CA09
, 5F045DA53
, 5F045DA55
