特許
J-GLOBAL ID:201003066971311620

リードフレーム及びその製造方法、及び半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 伊東 忠彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-263194
公開番号(公開出願番号):特開2010-153825
出願日: 2009年11月18日
公開日(公表日): 2010年07月08日
要約:
【課題】本発明は、リードフレーム本体に設けられ、半導体チップの電極パッドと接続された金属ワイヤと接続されるAg膜(Agめっき膜)の厚さを薄くすることでコストを低減できると共に、Ag膜(Agめっき膜)に金属ワイヤを確実に接続することのできるリードフレーム及びその製造方法、及び半導体装置を提供することを課題とする。【解決手段】半導体チップ12が接着されるダイパッド24、及びダイパッド24の周囲に複数配置されたリード25を有すると共に、Cu又はCuを含んだ合金により構成されたリードフレーム本体21と、リードフレーム本体21に設けられ、半導体チップ12の電極パッド36と接続された金属ワイヤ15と接続される金属膜と、を有し、該金属膜としてAg結晶粒31の結晶粒間33にナノ粒子である炭素粒子34が配置されたAgめっき膜22を設けた。【選択図】図3
請求項(抜粋):
半導体チップが接着されるダイパッド、及び前記ダイパッドの周囲に複数配置されたリードを有すると共に、Cu又はCuを含んだ合金により構成されたリードフレーム本体と、 前記リードフレーム本体に設けられ、前記半導体チップの電極パッドと接続された金属ワイヤと接続される金属膜と、を有し、 前記金属膜は、Ag結晶粒の結晶粒間にナノ粒子が配置されたAgめっき膜であることを特徴とするリードフレーム。
IPC (1件):
H01L 23/50
FI (1件):
H01L23/50 D
Fターム (5件):
5F067AA00 ,  5F067DC13 ,  5F067DC17 ,  5F067DF17 ,  5F067EA04
引用特許:
審査官引用 (3件)

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