特許

J-GLOBAL ID：201003067341968139

酸化チタン膜および酸化チタン膜形成方法

発明者： 赤津 隆 ,  山田 祐司 ,  干川 康人 ,  篠田 豊 ,  若井 史博
出願人/特許権者： 国立大学法人東京工業大学
代理人 (1件)： 特許業務法人エム・アイ・ピー
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-062153
公開番号（公開出願番号）：特開2010-215438
出願日： 2009年03月15日
公開日（公表日）： 2010年09月30日
要約：

【課題】酸化チタン膜および酸化チタン膜形成方法を提供すること。【解決手段】本発明の酸化チタン膜は、表面被膜として使用され、1μm以下のミクロポア構造と、1μmを超えるマクロポア構造を有し、マクロポア構造の空孔率が、酸化チタン膜の表面に対する面積率で0.02以上とされている。また、本発明では、マクロポア構造の空孔率は、0.06〜0.4とされることが好ましい。さらに本発明は、4級アンモニウム化合物を含む電解液にチタンを含むアノードを浸漬し、アノードをプラズマ電解酸化してアノード表面に酸化チタン膜を形成する工程を含む、酸化チタン膜形成方法を低供する。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

表面被膜として使用される酸化チタン膜であって、前記酸化チタン膜は、 1μm以下のミクロポア構造と、1μmを超えるマクロポア構造を有し、前記マクロポア構造の空孔率が、前記酸化チタン膜の表面に対する面積率で0.02以上である、酸化チタン膜。

IPC (3件)：

C01G 23/04 ,  B01J 35/02 ,  C25D 11/26

FI (3件)：

C01G23/04 C ,  B01J35/02 J ,  C25D11/26 302

Fターム (24件)：

4G047CA02 ,  4G047CB05 ,  4G047CC03 ,  4G047CD02 ,  4G047CD07 ,  4G047KC01 ,  4G047KD08 ,  4G047LB10 ,  4G169BA04A ,  4G169BA04B ,  4G169BA48A ,  4G169BA48C ,  4G169EC09X ,  4G169EC09Y ,  4G169EC25 ,  4G169FB11 ,  4G169FB58 ,  4G169HA01 ,  4G169HB01 ,  4G169HC32 ,  4G169HC35 ,  4G169HC36 ,  4G169HD06 ,  4G169HE06