複合荷電粒子線装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：井上学 , 戸田裕二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-108646
公開番号（公開出願番号）：特開2010-257855
出願日： 2009年04月28日
公開日（公表日）： 2010年11月11日
要約：

【課題】本発明の目的は、FIB加工面を高分解能、且つ低ダメージでSEM観察することに関する。【解決手段】本発明は、イオンビームにより加工された試料断面や端面を電子ビームにより観察できる複合荷電粒子線装置において、試料断面や端面に照射される電子ビームによって誘起された、弾性散乱電子を含む低エネルギー損失後方散乱電子を検出することができる検出器を備えることに関する。該検出器は、電子ビームカラムの外の空間に設置されていることが望ましい。本発明により、FIB加工断面や端面の材料や組成の表面情報を、高分解能、且つ低ダメージでSEM観察できる。選択するエネルギーバンドを変えることにより、試料表面に対して異なる深さの情報を得ることもできる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

イオンビーム加工により作成された試料断面を電子ビームにより観察する複合荷電粒子線装置において、前記断面に照射された電子ビームによって誘起された、弾性散乱電子を含む低エネルギー損失後方散乱電子を検出する検出器を備えることを特徴とする複合荷電粒子線装置。

IPC (3件)：

H01J 37/28 , H01J 37/244 , H01J 37/317

FI (3件)：

H01J37/28 B , H01J37/244 , H01J37/317 D

Fターム (5件)：

5C033NN02 , 5C033NN03 , 5C033UU04 , 5C033UU10 , 5C034DD09

引用特許：

審査官引用 (5件)

透過型電子顕微鏡装置および試料解析方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-175134 出願人：三菱電機株式会社, 株式会社ルネサスセミコンダクタエンジニアリング
走査型反射電子顕微鏡
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-269739 出願人：日本電信電話株式会社
特開平3-182039

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