特許
J-GLOBAL ID：201003068955845897

半導体装置の製造方法

発明者：
武井 信二

武井 信二 について


出願人/特許権者：
富士電機システムズ株式会社

富士電機システムズ株式会社 について


代理人 (1件)： 服部 毅巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-275014
公開番号（公開出願番号）：特開2010-103382
出願日： 2008年10月27日
公開日（公表日）： 2010年05月06日
要約：
【課題】半導体装置の低コスト化を図る。【解決手段】回路基板の主面に選択的に形成された配線層に、複数の導電性粒子を含む樹脂を接触させ(ステップS1)、前記樹脂を介して、回路基板の主面と半導体素子の主面に配置された電極パッドとを対向させる(ステップS2)。そして、導電性粒子の融点以上に導電性粒子を加熱して、複数の導電性粒子を一体化させた導電層を通じて、電極パッドと配線層とを電気的に接続する。それと共に、導電層を樹脂で被覆する(ステップS3)。これにより、電極接合及び封止用樹脂の形成工程が簡略化され、低コストで半導体装置を製造できる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
回路基板の主面に選択的に形成された配線層に、複数の導電性粒子を含む樹脂を接触させる工程と、 前記樹脂を介して、前記回路基板の前記主面と半導体素子の主面に配置された電極パッドとを対向させる工程と、 前記導電性粒子の融点以上に前記導電性粒子を加熱し、複数の前記導電性粒子を一体化させた導電層を通じて、前記電極パッドと前記配線層とを電気的に接続すると共に、前記導電層を前記樹脂で被覆する工程と、 を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (6件)：
H01L 21/60 ,  H01L 21/320 ,  H01L 23/52 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/739
FI (6件)：
H01L21/60 311S ,  H01L21/88 T ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/78 652L ,  H01L29/78 652Q ,  H01L29/78 655Z
Fターム (23件)：
4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB36 ,  4M104DD52 ,  4M104DD53 ,  4M104FF13 ,  4M104GG09 ,  4M104GG18 ,  4M104HH20 ,  5F033HH07 ,  5F033HH09 ,  5F033HH12 ,  5F033HH13 ,  5F033MM05 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033VV07 ,  5F033XX33 ,  5F033XX34 ,  5F044KK01 ,  5F044LL04 ,  5F044RR16
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-103304   出願人：東芝デジタルメディアエンジニアリング株式会社, 株式会社東芝
審査官引用 (2件)

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