特許
J-GLOBAL ID：200903058415535183
半導体装置及びその製造方法、その半導体装置製造用基板及びその製造方法並びにその半導体成長用基板
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
片山 修平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-082308
公開番号（公開出願番号）：特開2006-269534
出願日： 2005年03月22日
公開日（公表日）： 2006年10月05日
要約：
【課題】 電子供給層および電子走行層を[000-1]方向に堆積させるため、ソース電極およびドレイン電極と2DEGの接触抵抗が小さく、かつ2DEGの電子濃度の大きいHEMTを提供することができる。【解決手段】 基板(30)面に対する厚さ方向が[000-1]であるAlGaN電子供給層(32)と、電子供給層上に形成されたGaN電子走行層(34)と、該電子走行層上に形成されたゲート電極(40)と、ゲート電極を挟み、電子走行層上に形成されたソース電極(42)およびドレイン電極(44)と、を備えた半導体装置。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
基板面に対する厚さ方向が[000-1]であるAlGaN電子供給層と、
該電子供給層上に形成されたGaN電子走行層と、
該電子走行層上に形成されたゲート電極と、
該ゲート電極を挟み、前記電子走行層上に形成されたソース電極およびドレイン電極と、を備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/812
, H01L 29/778
, H01L 21/338
5F102FA03
, 5F102GB01
, 5F102GC01
, 5F102GD01
, 5F102GJ02
, 5F102GJ03
, 5F102GJ04
, 5F102GJ10
, 5F102GK08
, 5F102GL04
, 5F102GM04
, 5F102GQ02
, 5F102GR01
, 5F102GR03
, 5F102GS01
, 5F102GT01
