特許
J-GLOBAL ID:200903066634692483
半導体チップの薄肉加工方法および薄肉加工用エッチング装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
恩田 博宣
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-297751
公開番号(公開出願番号):特開2000-124166
出願日: 1998年10月20日
公開日(公表日): 2000年04月28日
要約:
【要約】【課題】特別なダイシング用のウエハ支持台を用いることなくダイシング用切り込みを一定の深さにすることができる半導体チップの薄肉加工方法および薄肉加工用エッチング装置を提供する。【解決手段】シリコンウエハ1における素子が形成されていない裏面1bから研削加工して所定厚みにする。シリコンウエハ1における素子が形成された素子形成面1aから同ウエハ1に所定深さのダイシング用切り込み6を入れる。ウエハ1をエッチングポット8にセットし、シールパッキン9にてウエハ1の外周部をマスクした状態でエッチング液7にてウエハ裏面1bに対しウエハ1の外周部を残して所定深さまでエッチングして薄くする。ブレークローラを用いてシリコンウエハ1において切り込み6に沿って各チップに分離し、各チップを取り出す。
請求項(抜粋):
半導体ウエハにおける素子が形成された素子形成面から同ウエハに所定深さのダイシング用切り込みを入れる工程と、前記半導体ウエハにおける素子が形成されていない裏面に対しウエハの外周部を残して所定深さまでエッチングして薄くする工程と、前記半導体ウエハにおけるダイシング用切り込みに沿って各チップに分離する工程と、を備えたことを特徴とする半導体チップの薄肉加工方法。
FI (2件):
H01L 21/78 Q
, H01L 21/78 S
引用特許:
審査官引用 (6件)
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特開平3-270156
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特開平1-289265
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半導体ウェハーのダイシング方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-007360
出願人:松下電子工業株式会社
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特開昭63-164336
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電気光学デバイスを製造する方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-322049
出願人:エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
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半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-120236
出願人:株式会社日立製作所
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