特許
J-GLOBAL ID：201003071021443795
マイクロパイプ・フリーの炭化ケイ素およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
小野 新次郎
, 社本 一夫
, 小林 泰
, 千葉 昭男
, 富田 博行
, 平山 晃二
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-528471
公開番号（公開出願番号）：特表2010-514648
出願日： 2007年09月13日
公開日（公表日）： 2010年05月06日
要約：
マイクロパイプ・フリーの、単結晶の、炭化ケイ素(SiC)およびその製造方法を開示する。SiCは、供給材料およびシード材料を、昇華装置の反応坩堝内のシードホルダに配置することによって成長させる。ここで、供給材料、反応坩堝、およびシードホルダを含む昇華装置の構成要素は、意図していない不純物を実質的に含まない。成長温度、成長圧力、SiC昇華流束およびその組成、ならびに供給材料とシード材料またはシード材料上に成長するSiC結晶との間の温度勾配を、PVTプロセスの間制御することにより、マイクロパイプを誘発するプロセス不安定性が排除され、マイクロパイプ・フリーのSiC結晶がシード材料上に成長する。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
炭化ケイ素の単結晶(SiC結晶)を、昇華装置において、物理的気相輸送(PVT)プロセスを用いて名目C軸成長方向に成長させる方法であって、ここで前記結晶はマイクロパイプ欠陥をまったく含まず:
シード材料をシードホルダに取り付け、前記シード材料と前記シードホルダの間に均一な熱的接触を形成すること;
供給材料および前記シードホルダに取り付けられた前記シード材料を反応坩堝内に配置すること、ここで、少なくとも前記供給材料、前記シードホルダ、および前記反応坩堝を含む前記昇華装置の構成要素は、意図していない不純物を実質的に含まない;および、
成長温度、成長圧力、SiC昇華流束およびその組成、ならびに前記供給材料と前記シード材料または前記シード材料上に成長する前記SiC結晶との間の温度勾配を、前記PVTプロセスの間制御して、マイクロパイプを誘発するプロセス不安定性を排除し、マイクロパイプ・フリーのSiC結晶を前記シード材料上に成長させること
を含む、前記方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (28件)：
4G077AA02
, 4G077AB01
, 4G077AB02
, 4G077AB08
, 4G077AB09
, 4G077AB10
, 4G077BE08
, 4G077DA02
, 4G077DA18
, 4G077EA02
, 4G077EA04
, 4G077EA05
, 4G077EA06
, 4G077EA08
, 4G077EB01
, 4G077EB06
, 4G077EC01
, 4G077EC02
, 4G077EG11
, 4G077EH06
, 4G077FJ06
, 4G077HA06
, 4G077HA12
, 4G077SA01
, 4G077SA04
, 4G077SA07
, 4G077SA08
, 4G077SA12
