特許
J-GLOBAL ID：201003071847593459
六方晶窒化ホウ素の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-209444
公開番号（公開出願番号）：特開2010-042963
出願日： 2008年08月18日
公開日（公表日）： 2010年02月25日
要約：
【課題】高結晶性六方晶窒化ホウ素粉末を、これまでに知られている方法と比べ、より経済性に優れた方法で製造する。【解決手段】ホウ素含有物質と窒素含有物質とを1300°C以下で反応させて得られる粗製六方晶窒化ホウ素粉末を、大気雰囲気中60°C以下で1週間以上養生させた後に、洗浄してから、不活性ガス雰囲気中にて1600〜2200°Cで再加熱処理し、平均粒径が10μm以上に結晶成長させることを特徴とする、高結晶性六方晶窒化ホウ素粉末の製造方法。大気雰囲気中60°C以下で1週間以上養生させた後再加熱する前の状態における、粗製六方晶窒化ホウ素粉末のX線回折法による黒鉛化指数(GI)が2.5以上かつ数平均粒子径が9μm以下であり、不活性ガス雰囲気中にて1600〜2200°Cで再加熱処理した後の高結晶性六方晶窒化ホウ素粉末のX線回折法による黒鉛化指数(GI)が1.9以下かつ数平均粒子径が10μm以上であることが好ましい。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
ホウ素含有物質と窒素含有物質とを1300°C以下で反応させて得られる粗製六方晶窒化ホウ素粉末を、大気雰囲気中60°C以下で1週間以上養生させてから、洗浄した後、不活性ガス雰囲気中にて1600〜2200°Cで再加熱処理し結晶成長させることを特徴とする、高結晶性六方晶窒化ホウ素粉末の製造方法。
IPC (3件)：
C01B 21/064
, C04B 35/583
, C04B 35/626
C01B21/064 M
, C04B35/58 103A
, C04B35/58 103Q
4G001BA02
, 4G001BA05
, 4G001BA75
, 4G001BB05
, 4G001BB35
, 4G001BC01
出願人引用 (2件)
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特開昭61-72604号公報
-
六方晶窒化ほう素粉末
公報種別：公開公報
出願番号：特願平9-183555
出願人：電気化学工業株式会社
審査官引用 (5件)
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