特許
J-GLOBAL ID:201003071960255411
気相成長装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
,
代理人 (1件):
石川 壽彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-075369
公開番号(公開出願番号):特開2010-232235
出願日: 2009年03月26日
公開日(公表日): 2010年10月14日
要約:
【課題】内周側仕切板(基板対向面部)の取り外しを容易にすると共に基板取り出しの効率化を図り、作業性に優れた気相成長装置の提供。【解決手段】気相成長装置1は、チャンバー本体3と、チャンバー本体3に設けられてチャンバー本体3を開閉するチャンバー蓋5と、チャンバー本体3内に設置されて基板9が載置されるサセプタ11と、サセプタ11に対向配置される対向面部材13とを備え、対向面部材13をサセプタ11に載置された基板9に対向配置される基板対向面部37と、基板対向面部37の周縁部を支持する基板対向面部支持部39を備えて構成すると共に、対向面部材13に設けられて該対向面部材13をチャンバー本体3側に載置する脚部31と、チャンバー蓋5に設けられて対向面部材13に対して係脱自在でかつ対向面部材13を保持できる係合保持機構15とを備える。【選択図】図1
請求項(抜粋):
チャンバー本体と、該チャンバー本体に設けられて前記チャンバー本体を開閉するチャンバー蓋と、前記チャンバー本体内に設置されて基板が載置されるサセプタと、該サセプタに対向配置される対向面部材とを備え、前記サセプタに前記基板を載置した状態で前記基板を加熱し、前記対向面部材と前記サセプタとで形成される流路に原料ガスを供給することによって前記基板に薄膜を堆積させる気相成長装置であって、
前記対向面部材を前記サセプタに載置された基板に対向配置される基板対向面部と、該基板対向面部の周縁部を支持する基板対向面部支持部を備えて構成すると共に、前記対向面部材に設けられて該対向面部材を前記チャンバー本体側に載置する脚部と、前記チャンバー蓋に設けられて前記対向面部材に対して係脱自在でかつ前記対向面部材を保持できる係合保持機構とを備えたことを特徴とする気相成長装置。
IPC (2件):
FI (2件):
Fターム (19件):
4K030CA04
, 4K030FA10
, 4K030GA06
, 4K030GA09
, 4K030GA12
, 4K030KA02
, 4K030KA11
, 4K030LA12
, 5F045BB10
, 5F045DP15
, 5F045DP27
, 5F045DP28
, 5F045DQ10
, 5F045EB02
, 5F045EB05
, 5F045EC01
, 5F045EK07
, 5F045EM10
, 5F045EN08
引用特許:
出願人引用 (4件)
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気相成長装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2007-009710
出願人:大陽日酸株式会社
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特開昭58-223317
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特開平2-296319
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半導体気相成長装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-197101
出願人:株式会社東芝
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