特許
J-GLOBAL ID：200903000932229493

気相成長装置

発明者：
小関 修一

小関 修一 について

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植松 邦全

植松 邦全 について

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阿久津 仲男

阿久津 仲男 について

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徳永 裕樹

徳永 裕樹 について


出願人/特許権者：
大陽日酸株式会社

大陽日酸株式会社 について


代理人 (2件)： 木戸 一彦 ,  木戸 良彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-009710
公開番号（公開出願番号）：特開2008-177380
出願日： 2007年01月19日
公開日（公表日）： 2008年07月31日
要約：
【課題】反応室内に原料ガスを導入するガス導入管に多重管を用いた場合でも、管壁への吸着性物質の吸着を防止することができ、特に、自公転型として最適な構造を有する気相成長装置を提供する。【解決手段】サセプタ13に保持された基板21を収納する反応室15と、該反応室を収容するチャンバー12と、該チャンバーに挿通されて反応室内に複数種類の原料ガスA,Bを導入するガス導入管11とを備え、該ガス導入管を多重管31で形成して該多重管内に各原料ガス毎に区画した複数のガス流路31a,31bを設け、前記チャンバーから突出したガス導入管の基部に、複数の原料ガス供給源からの各原料ガスを前記各ガス流路に供給するガス供給管32a,32bをそれぞれ接続するとともに、前記各ガス供給管のすべてにヒーター33a,33b等の加温手段をそれぞれ設ける。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
サセプタに保持された基板を収納する反応室と、該反応室を収容するチャンバーと、該チャンバーに挿通されて前記反応室内に複数種類の原料ガスを導入するガス導入管とを備え、該ガス導入管を多重管で形成して該多重管内に各原料ガス毎に区画した複数のガス流路を設け、前記チャンバーから突出したガス導入管の基部に、複数の原料ガス供給源からの各原料ガスを前記各ガス流路に供給するガス供給管をそれぞれ接続した気相成長装置において、前記各ガス供給管のすべてに加温手段をそれぞれ設けたことを特徴とする気相成長装置。
IPC (2件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/455
FI (2件)：
H01L21/205 ,  C23C16/455
Fターム (18件)：
4K030AA11 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA03 ,  4K030FA10 ,  4K030GA06 ,  4K030KA02 ,  4K030KA25 ,  4K030LA14 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AC07 ,  5F045DP15 ,  5F045DQ10 ,  5F045EC09 ,  5F045EK07 ,  5F045EM10
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (5件)
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