特許
J-GLOBAL ID：201003073052209521

テラヘルツ発振素子

発明者：
向井 俊和

向井 俊和 について

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浅田 雅洋

浅田 雅洋 について

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鈴木 左文

鈴木 左文 について

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浦山 健太

浦山 健太 について


出願人/特許権者：
ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (4件)： 三好 秀和 ,  寺山 啓進 ,  三好 広之 ,  伊藤 市太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-132505
公開番号（公開出願番号）：特開2010-057161
出願日： 2009年06月01日
公開日（公表日）： 2010年03月11日
要約：
【課題】広帯域周波数の電磁波を、その発振周波数全域にわたり、高効率かつ高出力に、基板に対して横方向に発振し、集積化の容易なテラヘルツ発振素子を提供する。【解決手段】半導体基板1上に配置された第1の電極2と、第1の電極2に対して絶縁層3を介して配置され、かつ半導体基板1上に第1の電極2に対向して配置された第2の電極4と、絶縁層3を挟み第1の電極2と第2の電極4間に形成されたMIMリフレクタ50と、MIMリフレクタ50に隣接して、半導体基板1上に対向する第1の電極2と第2の電極4間に配置された共振器60と、共振器60の略中央部に配置された能動素子90と、共振器60に隣接して、半導体基板1上に対向する第1の電極2と第2の電極4間に配置された導波路70と、導波路70に隣接して、半導体基板1上に対向する第1の電極2と第2の電極4間に配置されたホーン開口部80とを備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板と、 前記半導体基板上に配置された第1の電極と、 前記第1の電極上に配置された絶縁層と、 前記第1の電極に対して前記絶縁層を介して配置され、かつ前記半導体基板上に前記第1の電極に対向して配置された第2の電極と、 前記絶縁層を挟み前記第1の電極と前記第2の電極間に形成されたMIMリフレクタと、 前記MIMリフレクタに隣接して、前記半導体基板上に対向する前記第1の電極と前記第2の電極間に配置された共振器と、 前記共振器の略中央部に配置された能動素子と、 前記共振器に隣接して、前記半導体基板上に対向する前記第1の電極と前記第2の電極間に配置された導波路と、 前記導波路に隣接して、前記半導体基板上に対向する前記第1の電極と前記第2の電極間に配置されたホーン開口部と を備えることを特徴とするテラヘルツ発振素子。
IPC (5件)：
H03B 7/08 ,  H01Q 23/00 ,  H01Q 13/10 ,  H01P 3/02 ,  H01L 29/88
FI (5件)：
H03B7/08 ,  H01Q23/00 ,  H01Q13/10 ,  H01P3/02 ,  H01L29/88 S
Fターム (13件)：
5J021AA01 ,  5J021AB05 ,  5J021CA03 ,  5J021FA02 ,  5J021HA05 ,  5J021JA08 ,  5J045AB05 ,  5J045DA06 ,  5J045HA04 ,  5J045LA01 ,  5J045LA03 ,  5J045MA01 ,  5J045NA01
引用特許：
出願人引用 (3件)
引用文献：
出願人引用 (1件)

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