特許
J-GLOBAL ID：201003074277771918
半導体用途のための新規コバルト前駆体
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (10件)：
鈴江 武彦
, 蔵田 昌俊
, 河野 哲
, 中村 誠
, 福原 淑弘
, 峰 隆司
, 白根 俊郎
, 村松 貞男
, 野河 信久
, 砂川 克
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-508957
公開番号（公開出願番号）：特表2010-528183
出願日： 2008年05月21日
公開日（公表日）： 2010年08月19日
要約：
1つ以上の基板上にコバルト含有膜を堆積させるための方法および組成物がここに開示される。熱安定性のためにコバルトに結合された少なくとも1つのペンタジエニル配位子を含むコバルト前駆体が、1つ以上の基板を収容する反応チャンバー中に導入され、該コバルト前駆体は該基板上にコバルト含有膜を形成するために堆積される。
請求項（抜粋）：
1つ以上の基板上にコバルト含有膜を堆積させるための方法であって、
a) 1つ以上の基板を収容する反応チャンバー中にコバルト前駆体を導入することであって、前記コバルト前駆体は式(RyOP)x (RtCp)z Co R’uを持つ化合物を含むこと(ここで、
- RyOPは、ペンタジエニル配位子上の任意の位置において独立に選択されたy個のR配位子で置換されているかまたは無置換のペンタジエニル(Op)配位子である;
- RtCPは、シクロペンタジエニル配位子上の任意の位置において独立に選択されたt個のR配位子で置換されているかまたは無置換のシクロペンタジエニル(Cp)配位子である;
- Rは、1ないし4個の炭素原子を持つアルキル基、水素基、アルキルアミド、アルコキシド、アルキルシリルアミド、アミジナート、イソニトリルおよびカルボニルからなる群より独立に選択され、ここで各Rは他のRと同一または異なり得る;
- R’は、偶数個のπ結合を有する1ないし4個の炭素原子を持つアルキル基からなる群より独立に選択され、ここでR’は他のR’と同一または異なり得る;
- yは0ないし7の範囲の整数である;
- xは0ないし1の範囲の整数である;
- tは0ないし5の範囲の整数である;
- zは0ないし1の範囲の整数である;
- uは1ないし2の範囲の整数である)、
b) 1つ以上の基板上にコバルト含有膜を形成するためにコバルト前駆体を堆積させること
を含む方法。
IPC (3件)：
C23C 16/40
, H01L 21/285
, H01L 21/28
C23C16/40
, H01L21/285 C
, H01L21/28 301R
4K030AA12
, 4K030AA13
, 4K030AA14
, 4K030BA05
, 4K030BA38
, 4K030BA42
, 4K030LA15
, 4M104BB04
, 4M104BB20
, 4M104BB36
, 4M104DD45
