特許
J-GLOBAL ID：201003074293866520
パターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-240760
公開番号（公開出願番号）：特開2010-069762
出願日： 2008年09月19日
公開日（公表日）： 2010年04月02日
要約：
【課題】ナノインプリントを用いた被処理基板へのパターン形成時に、被処理基板に存在する凹凸や異物によってテンプレートが破損することを防止するパターン形成方法を提供すること。【解決手段】基板上に下地膜を形成する工程と、下地膜の表面に凹凸/異物が存在するか否かを検査する工程と、検査の結果を用いて、パターンを形成するショット領域に、凹凸/異物が存在するかを判定する工程と、ショット領域に凹凸/異物が存在しない場合には、第1のテンプレートをショット領域上の下地膜にレジスト剤を介して接近させてレジスト剤を固化させてマスクパターンを形成し、ショット領域に凹凸/異物が存在する場合には、第1のテンプレートとは異なる第2のテンプレートをショット領域上の下地膜にレジスト剤を介して接近させた状態でレジスト剤を固化する工程と、を含む。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1のテンプレートに形成された凹凸状のパターンを、基板に形成された下地膜と前記第1のテンプレートとの間に配置されたレジスト剤に転写してマスクパターンを形成するパターン形成方法において、
前記基板にパターンを形成する対象である下地膜を形成する下地膜形成工程と、
前記下地膜の表面に、凹凸/異物が存在するか否かを検査する表面検査工程と、
前記表面検査工程の結果を用いて、前記第1のテンプレートでパターンを形成するショット領域に、凹凸/異物が存在するかを判定する判定工程と、
前記ショット領域に凹凸/異物が存在しない場合には、前記第1のテンプレートを前記ショット領域上の前記下地膜に前記レジスト剤を介して所定の距離に接近させた状態で前記レジスト剤を固化して、前記第1のテンプレートに形成された凹凸状のパターンを有するマスクパターンを形成し、前記ショット領域に凹凸/異物が存在する場合には、前記第1のテンプレートとは異なる第2のテンプレートを前記ショット領域上の前記下地膜に前記レジスト剤を介して所定の距離に接近させた状態で前記レジスト剤を固化するレジスト固化工程と、
を含むことを特徴とするパターン形成方法。
IPC (3件)：
B29C 59/02
, H01L 21/027
, B81C 99/00
B29C59/02 Z
, H01L21/30 502D
, B81C5/00
3C081AA00
, 3C081CA37
, 4F209AA44
, 4F209AC05
, 4F209AF01
, 4F209AG03
, 4F209AG05
, 4F209AH33
, 4F209AH73
, 4F209AP02
, 4F209AP12
, 4F209AP20
, 4F209AR20
, 4F209PA02
, 4F209PB01
, 4F209PN09
, 4F209PN13
, 4F209PN15
, 4F209PQ11
, 5F046AA28
