特許
J-GLOBAL ID：201003074555048572

半導体装置及びその製造方法

発明者：
一條 尚生

一條 尚生 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-238474
公開番号（公開出願番号）：特開2010-073824
出願日： 2008年09月17日
公開日（公表日）： 2010年04月02日
要約：
【課題】ソース-ドレイン方向に垂直な方向における耐圧低下を防止し、過電圧、過電流に対する耐性も増大させることが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】P型半導体基板201と、N型拡散領域202と、N型拡散領域202内に形成されたP型ボディー領域206と、N型拡散領域202内に形成されたP型埋込み拡散領域204と、P型ボディー領域206内に形成されたN型ソース領域208及びP型ボディーコンタクト領域209と、N型拡散領域202内に形成されたN型ドリフト領域207と、N型ドリフト領域207内に形成されたN型ドレイン領域210と、P型ボディー領域206上に形成されたゲート絶縁膜とその上に形成されたゲート電極211と、を備え、ソース-ドレイン方向に垂直な断面において、P型埋込み拡散領域204が、ゲート電極211よりもP型ボディー領域206から離れた位置にまで延在される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板と、 前記半導体基板上に形成された第2導電型領域と、 前記第2導電型領域内に形成された第1導電型のボディー領域と、 前記第2導電型領域内において、前記半導体基板と前記ボディー領域との間で前記ボディー領域に接触するように形成された第1導電型の埋込み拡散領域と、 前記ボディー領域内に形成された第2導電型のソース領域及び第1導電型のボディーコンタクト領域と、 前記第2導電型領域内で前記ボディー領域と離間した位置に形成された第2導電型のドリフト領域と、 前記ドリフト領域内に形成された第2導電型のドレイン領域と、 前記ボディー領域上に形成されたゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、を備え、 ソース-ドレイン方向に垂直な断面において、前記埋込み拡散領域が、前記ゲート電極よりも前記ボディー領域から離れた位置にまで延在して形成されることを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
H01L 29/78
FI (1件)：
H01L29/78 301D
Fターム (24件)：
5F140AA25 ,  5F140AC21 ,  5F140BA01 ,  5F140BC06 ,  5F140BC12 ,  5F140BD19 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF44 ,  5F140BF51 ,  5F140BG28 ,  5F140BG38 ,  5F140BH17 ,  5F140BH30 ,  5F140BH41 ,  5F140BH43 ,  5F140BH47 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ05 ,  5F140BK13 ,  5F140BK29 ,  5F140CC03 ,  5F140CC12 ,  5F140CD09
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (4件)
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