特許
J-GLOBAL ID：200903002415348965
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
吉武 賢次
, 橘谷 英俊
, 佐藤 泰和
, 吉元 弘
, 川崎 康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-233570
公開番号（公開出願番号）：特開2007-049039
出願日： 2005年08月11日
公開日（公表日）： 2007年02月22日
要約：
【課題】 安定したしきい値を実現しながら、高速動作が可能な横型MOSFET構造の半導体装置を得る。【解決手段】 半導体基板1の上方に形成された半導体層3と、 この半導体層3の表面に選択的に形成された第1導電型のベース層5と、 このベース層5上に絶縁膜8を介して形成されたゲート電極9と、 前記ベース層5の表面に選択的に形成され、前記ゲート電極を挟んだ一側に位置する第2導電型のソース層11と、 前記ベース層5の表面に選択的に形成され、前記ゲート電極を挟んだ他側に位置する第2導電型のリサーフ層10と、 前記ベース層5の表面と前記半導体層3の表面に跨って選択的に形成され、前記リサーフ層10と隣り合う第2導電型のドレイン層7と、 を備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板の上方に形成された半導体層と、
この半導体層の表面に選択的に形成された第1導電型のベース層と、
このベース層上に絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、
前記ベース層の表面に選択的に形成され、前記ゲート電極を挟んだ一側に位置する第2導電型のソース層と、
前記ベース層の表面に選択的に形成され、前記ゲート電極を挟んだ他側に位置する第2導電型のリサーフ層と、
前記ベース層の表面と前記半導体層の表面に跨って選択的に形成され、前記リサーフ層と隣り合う第2導電型のドレイン層と、
を備えることを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L29/78 301S
, H01L29/78 301H
5F140AA01
, 5F140AA06
, 5F140AA11
, 5F140AC21
, 5F140BA01
, 5F140BB13
, 5F140BC06
, 5F140BF01
, 5F140BF04
, 5F140BH14
, 5F140BH15
, 5F140BH30
, 5F140BH43
, 5F140BH47
, 5F140BK13
, 5F140CB08
, 5F140CD02
