半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：稲岡耕作 , 川崎実夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-277390
公開番号（公開出願番号）：特開2007-088334
出願日： 2005年09月26日
公開日（公表日）： 2007年04月05日
要約：

【課題】リサーフ構造を採用しながら基板電位とソース電位とを異ならせることができる半導体装置およびその製造方法を提供すること。【解決手段】P-型半導体基板1上には、N-型エピタキシャル層2が形成され、このN-型エピタキシャル層2には、環状のP型ボディ拡散領域4が形成されている。P型ボディ拡散領域4には、N+型ソース拡散領域5とP+型ボディコンタクト領域6とが形成されている。N-型エピタキシャル層2には、N+型ドレイン拡散領域8が形成されている。ゲート電極10は、N+型ソース拡散領域5とN+型ドレイン拡散領域8との間のP型ボディ拡散領域4上に配置されている。P-型半導体基板1とN-型エピタキシャル層2とに跨って、N+型埋め込み拡散層14が形成され、N+型埋め込み拡散層14とP型ボディ拡散領域4との間には、P型埋め込み拡散層15がそれらに接して形成されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板と、この半導体基板上に形成され、前記第1導電型とは異なる第2導電型を有する半導体層と、前記半導体基板と前記半導体層とに跨って形成され、前記半導体層よりも不純物濃度が高い第2導電型の第2導電型埋め込み層と、前記半導体層の表層部に環状に形成され、前記第1導電型を有するボディ領域と、このボディ領域の表層部に形成され、前記第2導電型を有するソース領域と、前記半導体層の表層部において、前記ボディ領域に囲まれた領域内に前記ボディ領域から離間して形成され、第2導電型を有するドレイン領域と、前記ボディ領域の前記ソース領域および前記ドレイン領域間に介在する部分上に配置されたゲート電極と、前記第2導電型埋め込み層と前記ボディ領域との間に前記第2導電型埋め込み層および前記ボディ領域と接するように形成され、前記第1導電型を有する第1導電型埋め込み層とを含むことを特徴とする、半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/78 , H01L 29/786

FI (2件)：

H01L29/78 301D , H01L29/78 626B

Fターム (48件)：

5F110AA15 , 5F110CC02 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD22 , 5F110EE09 , 5F110EE22 , 5F110FF12 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110GG23 , 5F110GG32 , 5F110GG42 , 5F110GG52 , 5F110GG60 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ13 , 5F110HM12 , 5F110HM14 , 5F110NN62 , 5F110NN66 , 5F140AA00 , 5F140AA30 , 5F140AC09 , 5F140AC21 , 5F140BA01 , 5F140BA16 , 5F140BB12 , 5F140BB13 , 5F140BC06 , 5F140BC12 , 5F140BC17 , 5F140BD18 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF42 , 5F140BF44 , 5F140BH17 , 5F140BH30 , 5F140BH43 , 5F140BH47 , 5F140BH50 , 5F140CB01 , 5F140CB03 , 5F140CB08 , 5F140CD02

引用特許：

出願人引用 (1件)

特開平03-189179号公報

審査官引用 (11件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-111368 出願人：セイコーインスツルメンツ株式会社
特開平2-283074
特開平2-283074

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