特許
J-GLOBAL ID：201003074780484195

ナノ炭素材料複合基板製造方法、ナノ炭素材料複合基板、電子放出素子

発明者：
蒲生 秀典

蒲生 秀典 について

, 
兒玉 賢洋

兒玉 賢洋 について

, 
高柳 浩介

高柳 浩介 について


出願人/特許権者：
凸版印刷株式会社

凸版印刷株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-037592
公開番号（公開出願番号）：特開2010-192367
出願日： 2009年02月20日
公開日（公表日）： 2010年09月02日
要約：
【課題】本発明は、ナノ炭素材料が基板上にパターン配列されて形成されたナノ炭素材料複合基板を製造できるナノ炭素材料複合基板製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明のナノ炭素材料複合基板製造方法は、基板に触媒を担持し、触媒を熱処理し、基板に3次元構造パターンを形成し、前記触媒が担持された基板の表面に固液界面接触分解法によりナノ炭素材料を成長させる。触媒を担持後に基板に3次元構造パターンを形成することから、凸部の上面にのみ選択的に触媒を残存させることが出来、凸部の上面にのみ選択的にナノ炭素材料を形成することが出来る。よって、好適に、ナノ炭素材料が基板上にパターン配列されて形成されたナノ炭素材料複合基板を製造出来る。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板の表面に触媒を担持させる工程と、 前記触媒が担持された前記基板に熱処理を施す工程と、 前記基板の前記触媒が担持された側に、凸部および凹部からなる3次元構造パターンを形成し、前記凸部の上面にのみ触媒を残存させる工程と、 前記基板を、有機液体中に浸漬して加熱し、固液界面接触分解法により、前記触媒が担持された基板の表面にナノ炭素材料を成長させる工程と、 を有することを特徴とするナノ炭素材料複合基板製造方法。
IPC (5件)：
H01J 9/02 ,  B82B 3/00 ,  C01B 31/02 ,  B82B 1/00 ,  H01J 1/304
FI (5件)：
H01J9/02 B ,  B82B3/00 ,  C01B31/02 101F ,  B82B1/00 ,  H01J1/30 F
Fターム (64件)：
4G146AA07 ,  4G146AA11 ,  4G146AB06 ,  4G146AB07 ,  4G146AC02B ,  4G146AC19B ,  4G146AD05 ,  4G146AD17 ,  4G146AD29 ,  4G146BA11 ,  4G146BA49 ,  4G146BB23 ,  4G146BC01 ,  4G146BC07 ,  4G146BC13 ,  4G146BC23 ,  4G146BC33B ,  4G146BC42 ,  4G146BC44 ,  4G146DA03 ,  4G146DA22 ,  4G146DA29 ,  4G146DA33 ,  4G146DA35 ,  4G146DA41 ,  4G146DA47 ,  5C127AA01 ,  5C127AA04 ,  5C127AA05 ,  5C127AA20 ,  5C127BA15 ,  5C127BB07 ,  5C127CC03 ,  5C127CC62 ,  5C127CC63 ,  5C127DD07 ,  5C127DD32 ,  5C127DD42 ,  5C127DD53 ,  5C127DD57 ,  5C127DD62 ,  5C127DD69 ,  5C127EE02 ,  5C135AA06 ,  5C135AA15 ,  5C135AB07 ,  5C135AB08 ,  5C135AC02 ,  5C135GG11 ,  5C135HH17 ,  5H018AA01 ,  5H018BB01 ,  5H018BB16 ,  5H018EE02 ,  5H018EE05 ,  5H018HH03 ,  5H050BA17 ,  5H050CB07 ,  5H050FA09 ,  5H050FA16 ,  5H050GA02 ,  5H050GA12 ,  5H050GA13 ,  5H050HA04
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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