特許
J-GLOBAL ID：201003075974992759
粒子線治療システム
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
井上 学
, 戸田 裕二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-180865
公開番号（公開出願番号）：特開2010-017365
出願日： 2008年07月11日
公開日（公表日）： 2010年01月28日
要約：
【課題】 陽子や炭素イオン等の荷電粒子ビームを照射対象に照射する粒子線治療システムにおいて、一つの照射ノズルで複数の照射法を実現することを課題とする。【解決手段】 ビーム発生装置25と、治療室に配置され、荷電粒子ビームの照射野を形成する照射野形成装置18と、ビーム発生装置25から出射された荷電粒子ビームを照射野形成装置18に輸送するビーム輸送装置22とを備え、照射野形成装置18は、ガスチェンバーを有する第1照射部17aと、荷電粒子ビームの散乱量を調整する散乱体を有する第2照射部17bとを備え、照射野形成装置18内のビーム軸上に、第2照射部17b又は内部が不活性ガスで満たされたガスチェンバーを有する第1照射部17aのいずれかが配置されるように切り替え制御する制御装置19を備えることによって、上記課題を解決することができる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
荷電粒子ビームを設定されたエネルギーまで加速するビーム発生装置と、
治療室に配置され、荷電粒子ビームの照射野を形成する照射野形成装置と、
前記ビーム発生装置から出射された前記荷電粒子ビームを前記照射野形成装置に輸送するビーム輸送装置とを備え、
前記照射野形成装置は、
前記照射野形成装置に入射された前記荷電粒子ビームを走査する電磁石と、
ガスチェンバーを有する第1照射部と、
前記荷電粒子ビームの散乱量を調整する散乱体を有する第2照射部とを備え、
前記照射野形成装置内のビーム軸上に、前記第2照射部又は内部が不活性ガスで満たされた前記ガスチェンバーを有する第1照射部のいずれかが配置されるように切替え制御する制御装置を備えることを特徴とする粒子線治療システム。
IPC (3件)：
A61N 5/10
, G21K 3/00
, G21K 5/04
A61N5/10 H
, A61N5/10 J
, G21K3/00 Y
, G21K3/00 W
, G21K5/04 A
4C082AA01
, 4C082AC04
, 4C082AC05
, 4C082AE01
, 4C082AG02
, 4C082AG03
, 4C082AG12
, 4C082AG52
, 4C082AP11
, 4C082AT03
