特許
J-GLOBAL ID：201003076650356961

n型SiC単結晶の製造方法、それによって得られるn型SiC単結晶およびその用途

発明者：
関 章憲

関 章憲 について

, 
藤原 靖幸

藤原 靖幸 について


出願人/特許権者：
トヨタ自動車株式会社

トヨタ自動車株式会社 について


代理人 (5件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  関根 宣夫 ,  堂垣 泰雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-036905
公開番号（公開出願番号）：特開2010-189235
出願日： 2009年02月19日
公開日（公表日）： 2010年09月02日
要約：
【課題】窒素(N)の量を少なくしても比抵抗の小さいn型SiC単結晶を製造する方法、前記の方法によって得られる比抵抗が小さいSiC単結晶およびその用途を提供する。【解決手段】SiC単結晶を結晶成長する際に、n型半導体とするためのドナー元素である窒素(N)とともにガリウム(Ga)を、両元素のatm単位で表示して量であるN(量)およびGa(量)がN(量)>Ga(量)となるようにする。特にSiCに対する窒素(N)およびガリウム(Ga)のatm%単位で表示した各々の添加割合であるNADおよびGaADが、0<NAD≦1.0atm%、0<GaAD≦0.06atm%である割合で添加して結晶成長させることにより、比低抗率が小さく、例えば比低抗率が0.01Ωcm以下、その中でも0.008Ωcm以下のn型SiC単結晶を得ることができる。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
SiC単結晶を結晶成長する際に、n型半導体とするためのドナー元素である窒素(N)とともにガリウム(Ga)を、両元素のatm単位で表示して量であるN(量)およびGa(量)がN(量)>Ga(量)となるように添加することを特徴とするn型SiC単結晶の製造方法。
IPC (3件)：
C30B 29/36 ,  C30B 19/04 ,  H01L 21/208
FI (3件)：
C30B29/36 A ,  C30B19/04 ,  H01L21/208 D
Fターム (43件)：
4G077AA02 ,  4G077AB06 ,  4G077BE08 ,  4G077CG01 ,  4G077CG07 ,  4G077DA02 ,  4G077DA18 ,  4G077EA06 ,  4G077EB01 ,  4G077EC08 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077QA01 ,  4G077QA12 ,  4G077QA27 ,  4G077QA34 ,  4G077SA01 ,  4G077SA04 ,  4G077SA06 ,  5F045AA18 ,  5F045AB06 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AD18 ,  5F045AE01 ,  5F045AF02 ,  5F045BB16 ,  5F045CA05 ,  5F045DA66 ,  5F045DP05 ,  5F045DQ01 ,  5F053AA03 ,  5F053AA48 ,  5F053BB04 ,  5F053BB57 ,  5F053DD02 ,  5F053FF01 ,  5F053GG01 ,  5F053HH02 ,  5F053JJ03 ,  5F053KK10 ,  5F053LL10 ,  5F053RR20
引用特許：
審査官引用 (2件)
  • 液晶表示装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-113202   出願人：セイコーエプソン株式会社
  • 炭化珪素単結晶の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-355098   出願人：トヨタ自動車株式会社
引用文献：
審査官引用 (2件)

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