特許
J-GLOBAL ID：200903020178519464
炭化珪素単結晶の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
青木 篤
, 石田 敬
, 古賀 哲次
, 永坂 友康
, 西山 雅也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-355098
公開番号（公開出願番号）：特開2007-153719
出願日： 2005年12月08日
公開日（公表日）： 2007年06月21日
要約：
【課題】溶液法による、窒素をドーピングした炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】SiとCを含む原料を融解した融液に炭化珪素単結晶基板を接触させ、前記基板上に炭化珪素単結晶を成長させることを含む炭化珪素単結晶の製造方法において、ドーパントとしての窒素を、前記SiとCを含む原料を収容している多孔質ルツボの気孔中に吸着している窒素を供給源として前記融液に供給し、炭化珪素単結晶成長中に窒素をドープする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
SiとCを含む原料を融解した融液に炭化珪素単結晶基板を接触させ、前記基板上に炭化珪素単結晶を成長させることを含む炭化珪素単結晶の製造方法であって、ドーパントとしての窒素を、前記SiとCを含む原料を収容している多孔質ルツボの気孔中に吸着している窒素を供給源として前記融液に供給し、炭化珪素単結晶成長中に窒素をドープすることを特徴とする方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (11件)：
4G077AA02
, 4G077BE08
, 4G077CC01
, 4G077EA06
, 4G077EB01
, 4G077EB04
, 4G077EG01
, 4G077EG02
, 4G077EJ09
, 4G077HA02
, 4G077HA06
出願人引用 (1件)
審査官引用 (5件)
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