特許

J-GLOBAL ID：201003078025346381

積層メモリ素子

発明者： 安 承彦 ,  金 鎬正 ,  朴 哲佑 ,  姜 尚範 ,  崔 賢鎬
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (3件)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  実広 信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-103594
公開番号（公開出願番号）：特開2010-263211
出願日： 2010年04月28日
公開日（公表日）： 2010年11月18日
要約：

【課題】高集積化が容易な積層メモリ素子を提供する。【解決手段】本願発明の積層メモリ素子は、基板と、基板上に互いに積層された、少なくとも1層のメモリ層をそれぞれ含む複数のメモリグループと、該複数のメモリグループのうち、複数の隣接した2つのメモリグループ間に介在する複数のXデコーダ層と、前記複数の隣接した2つのメモリグループ間に、複数のXデコーダ層と交互に介在される複数のYデコーダ層と、を具備する積層メモリ素子である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、 前記基板上に互いに積層された、少なくとも1層のメモリ層をそれぞれ含む複数のメモリグループと、 前記複数のメモリグループのうち、複数の隣接した2つのメモリグループ間に、1層をおいて少なくとも1層ずつ介在する複数のXデコーダ層と、 前記複数の隣接した2つのメモリグループ間に、1層をおいて少なくとも1層ずつ、前記複数のXデコーダ層と交互に介在する複数のYデコーダ層と、 を含むことを特徴とする積層メモリ素子。

IPC (8件)：

H01L 27/10 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/115 ,  H01L 27/105 ,  H01L 27/108 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/00

FI (10件)：

H01L27/10 471 ,  H01L27/10 371 ,  H01L27/10 434 ,  H01L27/10 444 ,  H01L27/10 448 ,  H01L27/10 451 ,  H01L27/10 601 ,  H01L29/78 371 ,  H01L27/10 447 ,  H01L27/00 301A

Fターム (13件)：

4M119AA11 ,  4M119GG10 ,  4M119HH07 ,  5F083AD00 ,  5F083BS00 ,  5F083EP00 ,  5F083FR00 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA10 ,  5F083LA04 ,  5F083LA05 ,  5F101BE07 ,  5F101BH23

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 積層メモリ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-235606   出願人：三星電子株式会社
• プログラマブル抵抗メモリ装置
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2004-569565   出願人：株式会社東芝