定電流制御回路

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：伊藤洋二 , 三浦高広 , 水野史博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-056417
公開番号（公開出願番号）：特開2010-027030
出願日： 2009年03月10日
公開日（公表日）： 2010年02月04日
要約：

【課題】シャント抵抗の温度上昇を防ぐことができ、かつ、電源端子の共通化が行えるようにする。【解決手段】各パッド18、19を共通化した1つの電源端子9に接続し、シャント抵抗3、4をPch型MOSトランジスタ7a、8aの間ではなく、これらの外側に配置する。これにより、シャント抵抗3、4がPch型MOSトランジスタ7a、8aの温度上昇に伴って上昇することを抑制することが可能となる。特に、一方の回路系統でPch型MOSトランジスタ7a、8aが駆動されたとしても、他方の回路系統のシャント抵抗3、4に関しては距離が離れた状態となっているため、シャント抵抗3、4の温度上昇を抑制できる。また、電源端子9を共通化した1つの端子にすることが可能となり、端子数の削減を図ることも可能となる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

電源電圧(VB)が印加される電源端子(9)と、前記電源端子(9)に接続され、第1、第2負荷(1、2)それぞれに対して前記電源電圧(VB)に基づいて流す定電流の制御を行う出力用の第1、第2半導体スイッチング素子(7a、7b、8a、8b)と、前記第1、第2負荷(1、2)それぞれに接続される第1、第2出力端子(11、12)と、前記第1負荷(1)と前記第1半導体スイッチング素子(7a、7b)との間に配置され、前記第1負荷(1)に流される前記定電流を検出する第1シャント抵抗(3)と、前記第2負荷(2)と前記第2半導体スイッチング素子(8a、8b)との間に配置され、前記第2負荷(2)に流される前記定電流を検出する第2シャント抵抗(4)と、前記電源電圧(VB)を所定電圧昇圧する昇圧回路(10)と、前記昇圧回路(10)にて昇圧された電圧に基づいて駆動されると共に、前記第1シャント抵抗(3)で検出される前記定電流に基づいて前記第1半導体スイッチング素子(7a、7b)を制御する第1駆動回路(5)と、前記昇圧回路(10)にて昇圧された電圧に基づいて駆動されると共に、前記第2シャント抵抗(4)で検出される前記定電流に基づいて前記第2半導体スイッチング素子(8a、8b)を制御する第2駆動回路(6)と、前記第1半導体スイッチング素子(7a、7b)に電気的に接続される第1パッド(18、24)と、前記第2半導体スイッチング素子(8a、8b)に電気的に接続される第2パッド(19、24)と、を備え、前記第1半導体スイッチング素子(7a、7b)と前記第2半導体スイッチング素子(8a、8b)とは同一チップ内において隣り合わせに配置されており、前記第1パッド(18、24)および前記第2パッド(19、24)は、前記第1半導体スイッチング素子(7a、7b)と前記第2半導体スイッチング素子(8a、8b)の間に備えられていると共に、これら第1、第2パッド(18、19、24)が共通する1つの前記電源端子(9)に電気的に接続され、前記第1、第2シャント抵抗(3、4)が前記第1半導体スイッチング素子(7a、7b)と前記第2半導体スイッチング素子(8a、8b)の外側に配置されていることを特徴とする定電流制御回路。

IPC (1件)：

G05F 1/56

FI (2件)：

G05F1/56 310D , G05F1/56 310Q

Fターム (9件)：

5H430BB01 , 5H430BB05 , 5H430BB09 , 5H430BB12 , 5H430EE04 , 5H430FF08 , 5H430FF12 , 5H430HH02 , 5H430LA10

引用特許：

出願人引用 (5件)

乗員保護装置の駆動回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-075708 出願人：トヨタ自動車株式会社
負荷駆動装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-160840 出願人：株式会社デンソー
特開平4-002544

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