特許
J-GLOBAL ID：201003079249572669

素子の機能部を露出させた半導体装置の製造方法

発明者：
内田 建次

内田 建次 について

, 
平沢 宏希

平沢 宏希 について


出願人/特許権者：
NECエレクトロニクス株式会社

NECエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 速水 進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-224284
公開番号（公開出願番号）：特開2010-062232
出願日： 2008年09月02日
公開日（公表日）： 2010年03月18日
要約：
【課題】不要な廃棄物を低減させ、半導体装置の信頼性を向上させ、および生産性を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供。【解決手段】機能部(受光部120)を有するウエハ上の受光部120、または受光部120の周囲に第1樹脂部(第1樹脂膜)を形成する工程と、ウエハを分割して、基材(リードフレーム180)の上面に搭載する工程と、第1樹脂膜の上面およびリードフレーム180の下面のそれぞれに封止用金型を圧接し、第1樹脂膜の周囲の空隙部分に第2樹脂(封止樹脂)を注入して、第1樹脂膜の周囲に第2樹脂層(封止樹脂層200)を形成する封止工程と、第1樹脂膜を除去し、受光素子100の一部を外部に露出させる工程を含み、封止工程において、第1樹脂膜の上面が、封止樹脂層200の上面と同一平面となるか、または第1樹脂膜の上面が、封止樹脂層200の上面より高くなる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
機能部を有するウエハ上に第1樹脂層を形成する工程と、 前記第1樹脂層を所定の形状にパターニングし、前記機能部、または前記機能部の周囲に第1樹脂部を形成する工程と、 前記ウエハを分割して、素子に個片化する工程と、 前記素子を基材の上面に搭載する工程と、 前記第1樹脂部の上面および前記基材の下面のそれぞれに封止用金型の成型面を圧接し、前記封止用金型の前記成型面に囲まれた空隙部分のうち、前記第1樹脂部の周囲の前記空隙部分に第2樹脂を注入して、前記第1樹脂部の周囲に第2樹脂層を形成する封止工程と、 前記第1樹脂部を除去し、前記素子の一部を外部に露出させる工程を含み、 前記封止工程において、前記第1樹脂部の上面が、前記第2樹脂層の上面と同一平面となるか、または前記第1樹脂部の上面が、前記第2樹脂層の上面より高くなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/56 ,  H01L 31/02 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31
FI (3件)：
H01L21/56 Z ,  H01L31/02 B ,  H01L23/30 R
Fターム (21件)：
4M109AA01 ,  4M109BA01 ,  4M109CA21 ,  4M109DA04 ,  4M109DA07 ,  4M109DB14 ,  4M109EA01 ,  4M109EB12 ,  4M109EC01 ,  4M109EC05 ,  4M109GA01 ,  5F061AA01 ,  5F061BA01 ,  5F061CA21 ,  5F061DA01 ,  5F061FA01 ,  5F088BA16 ,  5F088BA18 ,  5F088JA02 ,  5F088JA10 ,  5F088JA20
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (5件)
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