特許
J-GLOBAL ID：201003081112526680

半導体発光素子及びその製造方法

発明者：
川田 康博

川田 康博 について

, 
谷坂 真吾

谷坂 真吾 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-046145
公開番号（公開出願番号）：特開2010-205748
出願日： 2009年02月27日
公開日（公表日）： 2010年09月16日
要約：
【課題】 FFPがリップルの少ない良好なガウシアン形状となる半導体発光素子を提供すること。また、共振器端面と保護膜との密着性を向上させ、製造効率の増大を図り、製造コストの低減を行うことができる半導体発光素子を提供すること。【解決手段】 基板と、該基板上に積層された半導体層と、該半導体層の共振器側の端面に形成された突出部とを有する半導体発光素子において、前記突出部は、光出射面と側面とを有しており、前記突出部の平面視形状は、連続した波状形状又は凹凸形状をしており、前記突出部の側面は、光出射面よりも表面粗さが大きい領域を有していることを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と、該基板上に積層された半導体層と、該半導体層の共振器側の端面に形成された突出部とを有する半導体発光素子において、 前記突出部は、光出射面と側面とを有しており、 前記突出部の側面の平面視形状は、連続した波状形状又は凹凸形状を有しており、 前記突出部の側面は、光出射面よりも表面粗さが大きい領域を有していることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (3件)：
H01S 5/10 ,  H01S 5/028 ,  H01L 33/22
FI (3件)：
H01S5/10 ,  H01S5/028 ,  H01L33/00 172
Fターム (21件)：
5F041AA14 ,  5F041CA04 ,  5F041CA14 ,  5F041CA40 ,  5F041CA74 ,  5F041CB36 ,  5F173AA08 ,  5F173AH22 ,  5F173AL02 ,  5F173AL10 ,  5F173AP33 ,  5F173AP35 ,  5F173AP42 ,  5F173AP47 ,  5F173AP78 ,  5F173AP79 ,  5F173AP87 ,  5F173AQ14 ,  5F173AQ15 ,  5F173AR52 ,  5F173AR96
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (5件)
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