特許
J-GLOBAL ID：201003081165482154
有機縦型トランジスタ
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (2件)：
磯野 道造
, 多田 悦夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-098270
公開番号（公開出願番号）：特開2010-251472
出願日： 2009年04月14日
公開日（公表日）： 2010年11月04日
要約：
【課題】キャリア移動度が高く、低駆動電圧で大電流変調を可能とする有機縦型トランジスタを提供すること。【解決手段】有機縦型トランジスタ1は、基板7と、エミッタ電極2と、第1有機半導体層3と、ベース電極4と、第2有機半導体層5と、コレクタ電極6とを備え、第1および第2有機半導体層3,5は、正孔輸送材料で形成され、各層を形成する有機半導体材料は、その分子構造に平面部分を有し、各分子の平面部分が基板7に対して略平行に配列し、その分子の形成するπ軌道が上下の分子のπ軌道と重なりを有し、分子が積層される配列方向に、エネルギー-波数(E-k)の関係を示す所定のバンド分散幅を有したエネルギーバンドを形成する。エミッタ電極2は、正孔を第1および第2有機半導体層3,5に注入する電極であり、エミッタ電極2およびコレクタ電極6は仕事関数が大きい材料、ベース電極4は仕事関数が小さい材料で形成されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と、エミッタ電極と、第1有機半導体層と、ベース電極と、第2有機半導体層と、コレクタ電極とがこの順番に積層され、前記エミッタ電極と前記コレクタ電極とにより前記ベース電極を縦方向に挟んだ有機縦型トランジスタであって、
前記第1有機半導体層および前記第2有機半導体層は、正孔輸送材料で形成され、
各層を形成する有機半導体材料は、その分子構造に平面部分を有し、
各分子は平面部分が前記基板に対して略平行に配列し、その分子の形成するπ軌道が当該分子の縦方向に配置した分子の形成するπ軌道と重なりを有し、
前記エミッタ電極は、キャリアとして正孔を前記第1有機半導体層および前記第2有機半導体層に注入する電極であり、
前記エミッタ電極および前記コレクタ電極は、仕事関数が予め定められた値よりも大きい材料で形成され、
前記ベース電極は、前記エミッタ電極および前記コレクタ電極と比較して、仕事関数が相対的に小さい材料で形成されていることを特徴とする有機縦型トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 29/68
, H01L 51/05
, H01L 51/30
H01L29/68
, H01L29/28 100A
, H01L29/28 250H
5F003BB03
, 5F003BB90
, 5F003BC90
, 5F003BE90
, 5F003BF03
, 5F003BG03
, 5F003BH05
, 5F003BH18
, 5F003BH99
, 5F003BJ93
, 5F003BM10
