ナノワイヤ太陽電池及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：特許業務法人創成国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-106213
公開番号（公開出願番号）：特開2010-028092
出願日： 2009年04月24日
公開日（公表日）： 2010年02月04日
要約：

【課題】ナノワイヤ状の半導体をアレイ状に備える装置により、実用的な電力が得られる太陽電池及びその製造方法を提供する。【解決手段】ナノワイヤ太陽電池1,11は、半導体基板2と、pn接合を構成する複数のナノワイヤ状の半導体4,5とを備える。半導体基板2とナノワイヤ状の半導体4,5とが単一の単結晶からなる。半導体4,5の間隙に充填された透明絶縁性材料6を備える。半導体4,5の表面に沿って、パッシベーション層10を備える。ナノワイヤ太陽電池の製造方法は、半導体基板2の表面の一部を非晶質膜3で被覆し、露出している半導体基板2の表面に、同一材料からなる結晶をエピタキシャル成長させてナノワイヤ状の半導体4,5を形成する。半導体4,5を透明絶縁性材料6に埋設後、透明絶縁性材料6の一部を除去して半導体4,5の先端を露出させることにより、半導体4,5の間隙に透明絶縁性材料6を充填する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板と、該半導体基板上に成長されpn接合を構成する複数のナノワイヤ状の半導体とを備えるナノワイヤ太陽電池であって、該半導体基板と該ナノワイヤ状の半導体とが単一の単結晶からなることを特徴とするナノワイヤ太陽電池。

IPC (3件)：

H01L 31/04 , B82B 1/00 , B82B 3/00

FI (3件)：

H01L31/04 E , B82B1/00 , B82B3/00

Fターム (11件)：

5F051AA08 , 5F051CB08 , 5F051CB15 , 5F051CB21 , 5F051DA03 , 5F051FA04 , 5F051FA06 , 5F051FA13 , 5F051FA14 , 5F051FA15 , 5F051GA04

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開昭53-031987
特開昭53-031987
特開平4-296060

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引用文献：

審査官引用 (3件)

Aligned Single-Crystalline Si Nanowire Arrays for Photovoltaic Applications
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