特許
J-GLOBAL ID：201003082227161380
シリコン単結晶ウェーハ及びシリコン単結晶ウェーハの製造方法並びにシリコン単結晶ウェーハの評価方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-173142
公開番号（公開出願番号）：特開2010-016078
出願日： 2008年07月02日
公開日（公表日）： 2010年01月21日
要約：
【課題】ゲート酸化膜の厚さが数nmと薄い場合であってもGOIの劣化がないシリコン単結晶ウェーハとその製造方法、並びにGOI劣化がないことをTDDB法などに比べて容易に評価することのできる評価方法を提供する。【解決手段】少なくとも、シリコン単結晶インゴットを準備する工程と、シリコン単結晶インゴットをスライスしてスライス基板を複数枚作製する工程と、複数枚のスライス基板に、ラッピング・エッチング・研磨のうち少なくとも1つを行って複数枚の基板に加工する加工工程と、複数枚の基板から少なくとも1枚を抜き取る工程と、抜き取り工程で抜き取った基板の表面粗さをAFMで測定し、波長20nm〜50nmに対応する周波数X帯の振幅(強度)yを求めて合否を判定する工程と、判定が合格の場合は次工程へ送り、不合格の場合は再加工を行う工程と、を含む。【選択図】図7
請求項（抜粋）：
シリコン単結晶ウェーハであって、
該シリコン単結晶ウェーハの表面をAFMで表面粗さを測定した時、波長20nm〜50nmに対応する周波数帯の振幅(強度)が、前記表面粗さをAFMで測定した時の測定値の波形をフーリエ変換して、周波数をX、前記振幅(強度)をyとしたとき、y<0.00096e-15Xの関係を満たすものであることを特徴とするシリコン単結晶ウェーハ。
IPC (5件)：
H01L 21/02
, C30B 29/06
, H01L 21/324
, H01L 21/304
, C30B 33/00
H01L21/02 B
, C30B29/06 B
, H01L21/324 X
, H01L21/304 622P
, H01L21/304 621B
, C30B33/00
4G077AA02
, 4G077BA04
, 4G077FE04
, 4G077FE11
, 4G077FG05
, 4G077FG11
, 4G077GA05
, 4G077GA10
, 4G077HA12
