特許

J-GLOBAL ID：201003082362870960

半導体発光装置の製造方法

発明者： 谷口 理
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (4件)： 藤島 洋一郎 ,  三反崎 泰司 ,  長谷部 政男 ,  田名網 孝昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-271257
公開番号（公開出願番号）：特開2010-103186
出願日： 2008年10月21日
公開日（公表日）： 2010年05月06日
要約：

【課題】光取り出し効率と生産性の双方を改善することの可能な半導体発光装置の製造方法を提供する。【解決手段】基板40上に、メサ部14およびメサ部14に電気的に接続されたバンプ17,18を有する半導体発光素子10が100μmよりも大きなピッチで形成された第一ウェハ30と、支持基板21の一方の面上に、第一ウェハ30におけるバンプ17,18の面積に対して同じかもしくは大きな面積で形成された接続電極22,23と、支持基板21の他方の面上に、接続電極22,23に接続されたビア24,25および外部電極26,27を有する第二ウェハ50とを貼り合わせ後、第一ウェハ30の基板40を除去し、第二ウェハ50のうち半導体発光素子10との非対向領域をダイシングすることにより第二ウェハ50をチップ化して、配線基板20を作製する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

第一基板上に下部クラッド層、活性層および上部クラッド層を前記第一基板側からこの順に含む半導体層を結晶成長によって形成したのち、前記半導体層を選択的にエッチングすることによって、前記下部クラッド層の一部、前記活性層および前記上部クラッド層を含む複数の凸部を100μmよりも大きなピッチで形成すると共に前記各凸部の裾野に前記下部クラッド層の露出面および前記第一基板の露出面を前記凸部側からこの順に形成し、さらに、前記各凸部の上面および前記各下部クラッド層の露出面との対向領域内に、前記各凸部の上面および前記各下部クラッド層の露出面に別個に接する複数の電流注入電極を形成することによって、第一ウェハを形成する第一工程と、 第二基板の一方の面に複数の接続電極を、前記第一ウェハにおける前記電流注入電極の面積に対して同じかもしくは大きな面積で形成することによって、第二ウェハを形成したのち、前記第二ウェハの前記接続電極側の表面を前記第一ウェハの前記電流注入電極側の表面に向けて、前記第一ウェハおよび前記第二ウェハを互いに貼り合わせることによって、前記電流注入電極と前記接続電極とをそれぞれ一つずつ互いに接合する第二工程と、 前記第二ウェハのうち前記接続電極との対向領域に貫通孔を形成したのち、前記各凸部の上面および前記各下部クラッド層の露出面との対向領域内に、前記貫通孔を介して前記電流注入電極に接する引き出し電極を形成する第三工程と、 前記第一基板を除去したのち、前記第二基板のうち、前記各凸部の上面および前記各下部クラッド層の露出面との非対向領域をダイシングすることによって、前記第二基板をチップ化する第四工程と を含む半導体発光装置の製造方法。

IPC (1件)：

H01L 33/48

FI (1件)：

H01L33/00 N

Fターム (22件)：

5F041AA03 ,  5F041AA31 ,  5F041CA04 ,  5F041CA13 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA76 ,  5F041CA77 ,  5F041CA91 ,  5F041CA93 ,  5F041CA98 ,  5F041CB36 ,  5F041DA04 ,  5F041DA09 ,  5F041DA12 ,  5F041DA19 ,  5F041DA20 ,  5F041DA34 ,  5F041DA35 ,  5F041DA39 ,  5F041DB03 ,  5F041DB09

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 電子部品及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-368570   出願人：ソニー株式会社
• 素子実装方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-307615   出願人：ソニー株式会社