特許
J-GLOBAL ID:201003082370592147
表面プラズマガス処理
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-514058
公開番号(公開出願番号):特表2010-532253
出願日: 2008年06月24日
公開日(公表日): 2010年10月07日
要約:
本発明は、平面状配置された光触媒の近傍で表面プラズマを生成するように構成されたガス処理ユニットに関する。光触媒は、薄膜(4)の形態で誘電性基板(3)上に積層されて、少なくとも1つのプラズマ供給電極(1、2)が光触媒薄膜の上方に形成される。このような構成によって、プラズマと光触媒との間の相互作用が増加する。上記ユニットは、汚染制御、臭気削減、もしくは細菌処理といった種類のガス処理に対して高い効率で使用可能である。
請求項(抜粋):
活性面(S1)、および該活性面に平行な後面(S2)を有する誘電性支持部(3)と、
上記支持部の活性面によって担持されている第1の電極(1)と、
上記支持部の後面によって担持されており、上記第1の電極に対して上記支持部に平行な方向(L)にオフセットされている第2の電極(2)と、
上記支持部の上記活性面の上方に配置された、光触媒(4)の少なくとも一部分と、を備え、上記光触媒が放射を受けるとガスの処理を開始させることができるガス処理ユニット(11)であって、
上記ガス処理ユニットは、上記第1の電極および上記第2の電極が電源(10)の2つの端子に接続されると、上記第1の電極(1)から上記第2の電極(2)に向かって拡がるゾーン(P1)において、上記支持部の上記活性面(S1)の上方で表面プラズマが形成されるように構成されており、上記プラズマは上記光触媒が受ける放射を生成しており、
上記ガス処理ユニットは、
上記光触媒の部分(4)が、上記支持部の活性面(S1)上に配置された薄膜であること、ならびに
第1の電極(1)が、上記薄膜における上記支持部と反対の面上に、少なくとも上記光触媒の薄膜(4)の一部分に被さるように配置されていることを特徴とするガス処理ユニット。
IPC (5件):
B01J 19/08
, A61L 9/00
, A61L 9/18
, B01D 53/86
, H05H 1/24
FI (6件):
B01J19/08 E
, A61L9/00 C
, A61L9/18
, B01D53/36 J
, B01D53/36 G
, H05H1/24
Fターム (30件):
4C080AA07
, 4C080AA09
, 4C080BB02
, 4C080BB05
, 4C080CC01
, 4C080HH05
, 4C080JJ06
, 4C080KK08
, 4C080LL10
, 4C080MM02
, 4C080NN01
, 4C080NN11
, 4C080QQ17
, 4D048AA17
, 4D048AB03
, 4D048BB20
, 4D048BD10
, 4D048EA01
, 4G075AA03
, 4G075AA37
, 4G075BA06
, 4G075CA47
, 4G075CA54
, 4G075DA02
, 4G075DA18
, 4G075EB42
, 4G075EC21
, 4G075FB06
, 4G075FB12
, 4G075FC11
引用特許: